Waferhalter für den ICP-Ätzprozess

Der Waferhalter von Semicorex für den ICP-Ätzprozess ist die perfekte Wahl für anspruchsvolle Waferhandhabung und Dünnschichtabscheidungsprozesse. Unser Produkt zeichnet sich durch hervorragende Hitze- und Korrosionsbeständigkeit, gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit und optimale laminare Gasströmungsmuster für konsistente und zuverlässige Ergebnisse aus.

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Produktbeschreibung

Wählen Sie den Waferhalter von Semicorex für den ICP-Ätzprozess für zuverlässige und konsistente Leistung bei der Waferhandhabung und Dünnschichtabscheidungsprozesse. Unser Produkt bietet Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen, hohe Reinheit und Korrosionsbeständigkeit gegenüber Säuren, Laugen, Salzen und organischen Reagenzien.
Unser Waferhalter für den ICP-Ätzprozess ist darauf ausgelegt, das beste laminare Gasströmungsmuster zu erzielen und ein gleichmäßiges thermisches Profil sicherzustellen. Dies trägt dazu bei, jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen zu verhindern und sorgt für ein qualitativ hochwertiges epitaktisches Wachstum auf dem Wafer-Chip.
Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unseren Waferhalter für den ICP-Ätzprozess zu erfahren.

Parameter des Waferhalters für den ICP-Ätzprozess

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC-β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickershärte	2500
Körnung	μm	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J kg-1 K-1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegekraft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)	430
Wärmeausdehnung (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300