Waferhalter für den ICP-Ätzprozess

Wählen Sie den Waferhalter von Semicorex für den ICP-Ätzprozess für eine zuverlässige und konsistente Leistung bei der Waferhandhabung und bei Dünnschichtabscheidungsprozessen. Unser Produkt bietet Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit, hohe Reinheit und Korrosionsbeständigkeit gegenüber Säuren, Alkalien, Salzen und organischen Reagenzien.
Unser Waferhalter für den ICP-Ätzprozess wurde entwickelt, um das beste laminare Gasströmungsmuster zu erzielen und ein gleichmäßiges thermisches Profil zu gewährleisten. Dies trägt dazu bei, jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen zu verhindern, wodurch ein qualitativ hochwertiges epitaxiales Wachstum auf dem Waferchip sichergestellt wird.
Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unseren Waferhalter für den ICP-Ätzprozess zu erfahren.

Parameter des Waferhalters für den ICP-Ätzprozess

Merkmale des Waferhalters für den ICP-Ätzprozess

- Ablösen vermeiden und Beschichtung auf allen Oberflächen sicherstellen

Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit: Stabil bei hohen Temperaturen bis zu 1600 °C

Hohe Reinheit: Hergestellt durch CVD-CVD unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.

Korrosionsbeständigkeit: hohe Härte, dichte Oberfläche und feine Partikel.

Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.

- Erzielen Sie das beste laminare Gasströmungsmuster

- Gewährleistung der Gleichmäßigkeit des thermischen Profils

- Verhindern Sie jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen