Als professioneller Hersteller möchten wir Ihnen GaN auf SiC-Epitaxie anbieten. Und wir bieten Ihnen den besten Kundendienst und pünktliche Lieferung. GaN auf SiC kombiniert die hervorragende Wärmeleitfähigkeit von SiC mit der hohen Leistungsdichte und geringen Verlustfähigkeit von GaN und wird hervorragend im Bereich der drahtlosen Infrastruktur, Verteidigungs- und Kommunikationssatelliten eingesetzt.
Semicorex liefert einen mit hochreinem Siliziumkarbid (SiC) beschichteten Suszeptor, der eine hervorragende Hitzebeständigkeit, gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit für eine konsistente Dicke und Beständigkeit der Epi-Schicht sowie eine dauerhafte chemische Beständigkeit bietet. Diese Eigenschaften machen es zu einem attraktiven Material für MOCVD oder HEMT zum Aufwachsen einer Epitaxieschicht.
Semicorex-Graphit-Suszeptor, der speziell für Epitaxiegeräte mit hoher Hitze- und Korrosionsbeständigkeit in China entwickelt wurde. Unsere GaN-auf-SiC-Substrat-Suszeptoren haben einen guten Preisvorteil und decken viele der europäischen und amerikanischen Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.
WeiterlesenAnfrage absendenSemicorex ist ein führender unabhängiger Hersteller von mit Siliziumkarbid beschichtetem Graphit, präzisionsgefertigtem hochreinem Graphit, der sich auf die Bereiche Siliziumkarbid-beschichteter Graphit, Siliziumkarbid-Keramik und MOCVP in der Halbleiterfertigung konzentriert. Unsere GaN-on-SiC-Epitaxialwaferträger haben einen guten Preisvorteil und decken viele der europäischen und amerikanischen Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.
WeiterlesenAnfrage absenden