China GaN auf SiC-Epitaxie Hersteller, Lieferanten, Fabrik

Als professioneller Hersteller möchten wir Ihnen GaN auf SiC-Epitaxie anbieten. Und wir bieten Ihnen den besten Kundendienst und eine pünktliche Lieferung. GaN auf SiC kombiniert die hervorragende Wärmeleitfähigkeit von SiC mit der hohen Leistungsdichte und der geringen Verlustfähigkeit von GaN und eignet sich hervorragend für den Einsatz in der drahtlosen Infrastruktur sowie bei Verteidigungs- und Kommunikationssatelliten.

Semicorex liefert mit hochreinem Siliziumkarbid (SiC) beschichtete Suszeptoren, die eine hervorragende Hitzebeständigkeit, gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit für eine gleichmäßige Epi-Schichtdicke und -beständigkeit sowie eine dauerhafte chemische Beständigkeit bieten. Diese Eigenschaften machen es zu einem attraktiven Material für MOCVD oder HEMT zum Wachstum einer Epitaxieschicht.

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Semicorex produziert seit vielen Jahren GaN auf SiC-Epitaxie und ist einer der professionellen GaN auf SiC-Epitaxie Hersteller und Lieferanten in China. Sobald Sie unsere fortschrittlichen und langlebigen Produkte kaufen, die in Großpackungen geliefert werden, garantieren wir die große Menge in schneller Lieferung. Im Laufe der Jahre haben wir unseren Kunden einen maßgeschneiderten Service geboten. Kunden sind mit unseren Produkten und unserem exzellenten Service zufrieden. Wir freuen uns aufrichtig darauf, Ihr zuverlässiger langfristiger Geschäftspartner zu werden! Willkommen, um Produkte aus unserer Fabrik zu kaufen.