Als professioneller Hersteller möchten wir Ihnen GaN auf SiC-Epitaxie anbieten. Und wir bieten Ihnen den besten Kundendienst und eine pünktliche Lieferung. GaN auf SiC kombiniert die hervorragende Wärmeleitfähigkeit von SiC mit der hohen Leistungsdichte und der geringen Verlustfähigkeit von GaN und eignet sich hervorragend für den Einsatz in der drahtlosen Infrastruktur sowie bei Verteidigungs- und Kommunikationssatelliten.
Semicorex liefert mit hochreinem Siliziumkarbid (SiC) beschichtete Suszeptoren, die eine hervorragende Hitzebeständigkeit, gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit für eine gleichmäßige Epi-Schichtdicke und -beständigkeit sowie eine dauerhafte chemische Beständigkeit bieten. Diese Eigenschaften machen es zu einem attraktiven Material für MOCVD oder HEMT zum Wachstum einer Epitaxieschicht.