Siliziumkarbid-ICP-Ätzträger

Suchen Sie einen zuverlässigen Waferträger für Ätzprozesse? Dann ist der Siliziumkarbid-ICP-Ätzträger von Semicorex genau das Richtige für Sie. Unser Produkt ist so konstruiert, dass es hohen Temperaturen und aggressiver chemischer Reinigung standhält und so Haltbarkeit und Langlebigkeit gewährleistet. Mit einer sauberen und glatten Oberfläche eignet sich unser Träger perfekt für die Handhabung makelloser Waffeln.

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Produktbeschreibung

Sorgen Sie mit dem Siliziumkarbid-ICP-Ätzträger von Semicorex für optimale laminare Gasströmungsmuster und ein gleichmäßiges Wärmeprofil. Unser Produkt wurde entwickelt, um die bestmöglichen Ergebnisse für Dünnschichtabscheidungs- und Wafer-Handhabungsprozesse zu erzielen. Mit seiner hervorragenden Hitze- und Korrosionsbeständigkeit ist unser Träger die perfekte Wahl für anspruchsvolle Anwendungen.

Bei Semicorex konzentrieren wir uns darauf, unseren Kunden qualitativ hochwertige und kostengünstige Produkte anzubieten. Unser Siliziumkarbid-ICP-Ätzträger hat einen Preisvorteil und wird in viele europäische und amerikanische Märkte exportiert. Unser Ziel ist es, Ihr langfristiger Partner zu sein, der gleichbleibende Qualitätsprodukte und außergewöhnlichen Kundenservice liefert.

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Parameter des Siliziumkarbid-ICP-Ätzträgers

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC-β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickershärte	2500
Körnung	μm	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J kg-1 K-1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegekraft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)	430
Wärmeausdehnung (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300