Siliziumkarbid-ICP-Ätzträger

Suchen Sie einen zuverlässigen Waferträger für Ätzprozesse? Suchen Sie nicht weiter als den Siliziumkarbid-ICP-Ätzträger von Semicorex. Unser Produkt ist so konstruiert, dass es hohen Temperaturen und aggressiver chemischer Reinigung standhält und Haltbarkeit und Langlebigkeit gewährleistet. Mit einer sauberen und glatten Oberfläche eignet sich unser Träger perfekt für die Handhabung makelloser Wafer.

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Produktbeschreibung

Sorgen Sie mit dem Siliziumkarbid-ICP-Ätzträger von Semicorex für optimale laminare Gasströmungsmuster und ein gleichmäßiges thermisches Profil. Unser Produkt wurde entwickelt, um die bestmöglichen Ergebnisse für Dünnschichtabscheidungs- und Waferhandhabungsprozesse zu erzielen. Mit überlegener Hitze- und Korrosionsbeständigkeit ist unser Träger die perfekte Wahl für anspruchsvolle Anwendungen.

Bei Semicorex konzentrieren wir uns darauf, unseren Kunden qualitativ hochwertige und kostengünstige Produkte anzubieten. Unser Siliziumkarbid-ICP-Ätzträger hat einen Preisvorteil und wird in viele europäische und amerikanische Märkte exportiert. Unser Ziel ist es, Ihr langfristiger Partner zu sein, der gleichbleibende Qualitätsprodukte und außergewöhnlichen Kundenservice liefert.

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Parameter des Siliziumkarbid-ICP-Ätzträgers

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickers-Härte	2500
Körnung	Î¼m	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J·kg –1 ·K –1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegefestigkeit	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4pt Biegung, 1300â)	430
Wärmeausdehnung (CTE)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300