China Siliziumkarbid (SiC) Hersteller, Lieferanten, Fabrik

Siliziumkarbidkeramik (SiC) ist ein fortschrittliches Keramikmaterial, das Silizium und Kohlenstoff enthält. Körner aus Siliziumkarbid können durch Sintern zu sehr harten Keramiken verbunden werden. Semicorex liefert maßgeschneiderte Siliziumkarbidkeramik nach Ihren Wünschen.

Anwendungen

Bei Siliziumkarbidkeramik bleiben die Materialeigenschaften bis zu Temperaturen über 1.400 °C konstant. Der hohe Elastizitätsmodul > 400 GPa sorgt für eine hervorragende Dimensionsstabilität.

Eine typische Anwendung für Bauteile aus Siliziumkarbid ist die dynamische Dichtungstechnik mit Gleitlagern und Gleitringdichtungen, beispielsweise in Pumpen und Antriebssystemen.

● Achshülse  →

● Buchse  →    

● Gleitringdichtung  →

Aufgrund der fortschrittlichen Eigenschaften eignen sich Siliziumkarbidkeramiken auch ideal für den Einsatz in der Halbleiterindustrie.

● Waferträger  →  

● Wafer-Boot  →  

Wafer-Boote →
Das Semicorex Wafer Boat besteht aus gesinterter Siliziumkarbidkeramik, die eine gute Korrosionsbeständigkeit und eine ausgezeichnete Beständigkeit gegen hohe Temperaturen und Thermoschock aufweist. Fortschrittliche Keramik bietet eine hervorragende thermische Beständigkeit und Plasmabeständigkeit und reduziert gleichzeitig Partikel und Verunreinigungen für Waferträger mit hoher Kapazität.

Reaktionsgesintertes Siliziumkarbid

Im Vergleich zu anderen Sinterverfahren ist die Größenänderung beim Reaktionssintern während des Verdichtungsprozesses gering und es können Produkte mit präzisen Abmessungen hergestellt werden. Das Vorhandensein einer großen Menge SiC im Sinterkörper verschlechtert jedoch die Hochtemperaturleistung von reaktionsgesinterten SiC-Keramiken.

Drucklos gesintertes Siliziumkarbid

Drucklos gesintertes Siliziumkarbid (SSiC) ist eine besonders leichte und zugleich harte Hochleistungskeramik. SSiC zeichnet sich durch eine hohe Festigkeit aus, die auch bei extremen Temperaturen nahezu konstant bleibt.

Rekristallines Siliziumkarbid

Rekristallisiertes Siliziumkarbid (RSiC) sind Materialien der nächsten Generation, die durch Mischen von hochreinem Siliziumkarbid-Grobpulver und hochaktivem Siliziumkarbid-Feinpulver und nach dem Verfugen durch Vakuumsintern bei 2450 ° C zur Rekristallisation entstehen.