Sie können sicher sein, ICP Etching Carrier in unserer Fabrik zu kaufen, und wir bieten Ihnen den besten Kundendienst und pünktliche Lieferung. Der Semicorex-Wafer-Suszeptor wird aus mit Siliziumkarbid beschichtetem Graphit unter Verwendung des chemischen Gasphasenabscheidungsverfahrens (CVD) hergestellt. Dieses Material besitzt einzigartige Eigenschaften, einschließlich hoher Temperatur- und Chemikalienbeständigkeit, ausgezeichneter Verschleißfestigkeit, hoher Wärmeleitfähigkeit sowie hoher Festigkeit und Steifigkeit. Diese Eigenschaften machen es zu einem attraktiven Material für verschiedene Hochtemperaturanwendungen, einschließlich Ätzsystemen mit induktiv gekoppeltem Plasma (ICP).
Wir bieten maßgeschneiderten Service, helfen Ihnen bei der Innovation mit Komponenten, die länger halten, die Zykluszeiten verkürzen und die Erträge verbessern.
Semicorex SiC Susceptor für ICP Etch wird mit dem Schwerpunkt auf der Aufrechterhaltung hoher Qualitäts- und Konsistenzstandards hergestellt. Die robusten Herstellungsprozesse zur Herstellung dieser Suszeptoren stellen sicher, dass jede Charge strenge Leistungskriterien erfüllt und zuverlässige und konsistente Ergebnisse beim Halbleiterätzen liefert. Darüber hinaus ist Semicorex in der Lage, schnelle Lieferpläne anzubieten, was entscheidend ist, um mit den schnellen Durchlaufzeiten der Halbleiterindustrie Schritt zu halten und sicherzustellen, dass die Produktionszeitpläne eingehalten werden, ohne Kompromisse bei der Qualität einzugehen. Wir bei Semicorex widmen uns der Herstellung und Lieferung von Hochleistungsprodukten SiC-Suszeptor für ICP-Ätzung, der Qualität mit Kosteneffizienz verei......
WeiterlesenAnfrage absendenDie SiC-beschichtete ICP-Komponente von Semicorex wurde speziell für Hochtemperatur-Wafer-Handling-Prozesse wie Epitaxie und MOCVD entwickelt. Mit einer feinen SiC-Kristallbeschichtung bieten unsere Träger eine hervorragende Hitzebeständigkeit, gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit und dauerhafte chemische Beständigkeit.
WeiterlesenAnfrage absendenWenn es um Wafer-Handling-Prozesse wie Epitaxie und MOCVD geht, ist die Hochtemperatur-SiC-Beschichtung für Plasmaätzkammern von Semicorex die erste Wahl. Unsere Träger bieten dank unserer feinen SiC-Kristallbeschichtung eine hervorragende Hitzebeständigkeit, gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit und dauerhafte chemische Beständigkeit.
WeiterlesenAnfrage absendenDie ICP-Plasmaätzschale von Semicorex wurde speziell für Hochtemperatur-Wafer-Handling-Prozesse wie Epitaxie und MOCVD entwickelt. Mit einer stabilen Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit von bis zu 1600 °C bieten unsere Träger gleichmäßige Wärmeprofile, laminare Gasströmungsmuster und verhindern die Diffusion von Verunreinigungen oder Verunreinigungen.
WeiterlesenAnfrage absendenDer SiC-beschichtete Träger von Semicorex für das ICP-Plasmaätzsystem ist eine zuverlässige und kostengünstige Lösung für Hochtemperatur-Wafer-Handling-Prozesse wie Epitaxie und MOCVD. Unsere Träger verfügen über eine feine SiC-Kristallbeschichtung, die eine hervorragende Hitzebeständigkeit, gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit und dauerhafte chemische Beständigkeit bietet.
WeiterlesenAnfrage absendenDer mit Siliziumkarbid beschichtete Suszeptor von Semicorex für induktiv gekoppeltes Plasma (ICP) wurde speziell für Hochtemperatur-Wafer-Handling-Prozesse wie Epitaxie und MOCVD entwickelt. Mit einer stabilen Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit von bis zu 1600 °C gewährleisten unsere Träger gleichmäßige thermische Profile, laminare Gasströmungsmuster und verhindern die Diffusion von Verunreinigungen oder Verunreinigungen.
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