Die Semicorex-Graphit-Mittelplatte oder MOCVD-Suszeptor besteht aus hochreinem Siliziumkarbid, das durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD) beschichtet wird und dabei zum Wachsen der Epitaxieschicht auf dem Wafer-Chip verwendet wird. Der mit SiC beschichtete Suszeptor ist ein wesentlicher Bestandteil des MOCVD und erfordert daher eine hervorragende Hitze- und Chemikalienbeständigkeit sowie eine hohe thermische Gleichmäßigkeit. Wir haben speziell für diese anspruchsvollen Epitaxie-Geräteanwendungen entwickelt.
Der MOCVD-Waferhalter von Semicorex ist eine unverzichtbare Komponente für das SiC-Epitaxiewachstum und bietet ein hervorragendes Wärmemanagement, chemische Beständigkeit und Dimensionsstabilität. Durch die Wahl des Waferhalters von Semicorex steigern Sie die Leistung Ihrer MOCVD-Prozesse, was zu qualitativ hochwertigeren Produkten und größerer Effizienz in Ihren Halbleiterfertigungsabläufen führt. *
WeiterlesenAnfrage absendenDer von Semicorex entwickelte Semicorex MOCVD 3x2'' Susceptor stellt einen Gipfel an Innovation und technischer Exzellenz dar, der speziell auf die komplexen Anforderungen moderner Halbleiterfertigungsprozesse zugeschnitten ist.**
WeiterlesenAnfrage absendenDer Semicorex SiC-Beschichtungsring ist eine entscheidende Komponente in der anspruchsvollen Umgebung von Halbleiterepitaxieprozessen. Mit unserem unerschütterlichen Engagement, qualitativ hochwertige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen anzubieten, sind wir bereit, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.*
WeiterlesenAnfrage absendenDas Engagement von Semicorex für Qualität und Innovation zeigt sich im Segment der SiC-MOCVD-Abdeckungen. Indem es eine zuverlässige, effiziente und qualitativ hochwertige SiC-Epitaxie ermöglicht, spielt es eine entscheidende Rolle bei der Weiterentwicklung der Fähigkeiten von Halbleiterbauelementen der nächsten Generation.**
WeiterlesenAnfrage absendenDas Semicorex SiC MOCVD-Innensegment ist ein unverzichtbares Verbrauchsmaterial für metallorganische chemische Gasphasenabscheidungssysteme (MOCVD), die bei der Herstellung von epitaktischen Siliziumkarbid-Wafern (SiC) verwendet werden. Es ist genau darauf ausgelegt, den anspruchsvollen Bedingungen der SiC-Epitaxie standzuhalten und eine optimale Prozessleistung und hochwertige SiC-Epischichten zu gewährleisten.**
WeiterlesenAnfrage absendenDie SiC-Wafer-Suszeptoren von Semicorex für MOCVD sind ein Paradebeispiel für Präzision und Innovation und wurden speziell für die epitaktische Abscheidung von Halbleitermaterialien auf Wafern entwickelt. Aufgrund ihrer hervorragenden Materialeigenschaften können die Platten den strengen Bedingungen des epitaktischen Wachstums standhalten, einschließlich hoher Temperaturen und korrosiver Umgebungen, was sie für die hochpräzise Halbleiterfertigung unverzichtbar macht. Wir bei Semicorex widmen uns der Herstellung und Lieferung leistungsstarker SiC-Wafer-Suszeptoren für MOCVD, die Qualität mit Kosteneffizienz verbinden.
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