Die Semicorex-Graphit-Mittelplatte oder MOCVD-Suszeptor besteht aus hochreinem Siliziumkarbid, das durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD) beschichtet wird und dabei zum Wachsen der Epitaxieschicht auf dem Wafer-Chip verwendet wird. Der mit SiC beschichtete Suszeptor ist ein wesentlicher Bestandteil des MOCVD und erfordert daher eine hervorragende Hitze- und Chemikalienbeständigkeit sowie eine hohe thermische Gleichmäßigkeit. Wir haben speziell für diese anspruchsvollen Epitaxie-Geräteanwendungen entwickelt.