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ICP Silizium-Kohlenstoff-beschichteter Graphit

ICP Silizium-Kohlenstoff-beschichteter Graphit

Der ICP-Siliziumkohlenstoff-beschichtete Graphit von Semicorex ist die ideale Wahl für anspruchsvolle Waferhandhabungs- und Dünnschichtabscheidungsprozesse. Unser Produkt zeichnet sich durch überlegene Hitze- und Korrosionsbeständigkeit, gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit und optimale laminare Gasströmungsmuster aus.

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Produktbeschreibung

Waferträger, die bei der epitaxialen Wachstumsverarbeitung verwendet werden, müssen hohen Temperaturen und einer harten chemischen Reinigung standhalten. Semicorex ICP-Suszeptoren aus siliziumkohlenstoffbeschichtetem Graphit wurden speziell für diese anspruchsvollen Epitaxiegeräteanwendungen entwickelt. Unser Produkt ist so konstruiert, dass es hohen Temperaturen und aggressiver chemischer Reinigung standhält und Langlebigkeit und optimale Ergebnisse gewährleistet.
Unser ICP-Siliziumkohlenstoff-beschichteter Graphit wurde entwickelt, um das beste laminare Gasströmungsmuster zu erzielen und ein gleichmäßiges thermisches Profil zu gewährleisten. Dies trägt dazu bei, jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen zu verhindern, wodurch ein qualitativ hochwertiges epitaxiales Wachstum auf dem Waferchip sichergestellt wird.
Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unseren ICP-Graphit mit Siliziumkohlenstoffbeschichtung zu erfahren.


Parameter von ICP Siliziumkohlenstoffbeschichtetem Graphit

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur

FCC β-Phase

Dichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickers-Härte

2500

Körnung

μm

2~10

Chemische Reinheit

%

99.99995

Wärmekapazität

J·kg –1 ·K –1

640

Sublimationstemperatur

2700

Biegefestigkeit

MPa (RT 4-Punkt)

415

Elastizitätsmodul

Gpa (4pt Biegung, 1300â)

430

Wärmeausdehnung (CTE)

10-6K-1

4.5

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Eigenschaften von ICP Siliziumkohlenstoffbeschichtetem Graphit

- Ablösen vermeiden und Beschichtung auf allen Oberflächen sicherstellen

Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit: Stabil bei hohen Temperaturen bis zu 1600 °C

Hohe Reinheit: Hergestellt durch CVD-CVD unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.

Korrosionsbeständigkeit: hohe Härte, dichte Oberfläche und feine Partikel.

Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.

- Erzielen Sie das beste laminare Gasströmungsmuster

- Gewährleistung der Gleichmäßigkeit des thermischen Profils

- Verhindern Sie jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen





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