Als professioneller Hersteller möchten wir Ihnen SiC-Epitaxie anbieten. Und wir bieten Ihnen den besten Kundendienst und eine pünktliche Lieferung. Semicorex liefert CVD-Siliziumkarbid-beschichtete Graphit-Suszeptoren zur Unterstützung von Wafern. Ihre mit hochreinem Siliziumkarbid (SiC) beschichtete Graphitkonstruktion bietet eine hervorragende Hitzebeständigkeit, eine gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit für eine gleichmäßige Dicke und Beständigkeit der Epi-Schicht sowie eine dauerhafte chemische Beständigkeit. Die feine SiC-Kristallbeschichtung sorgt für eine saubere, glatte Oberfläche, was für die Handhabung von entscheidender Bedeutung ist, da makellose Wafer den Suszeptor an vielen Stellen über ihre gesamte Fläche berühren.
Die SiC-Beschichtungskomponente von Semicorex ist ein unverzichtbares Material, das die anspruchsvollen Anforderungen des SiC-Epitaxieprozesses erfüllt, einem entscheidenden Schritt in der Halbleiterfertigung. Es spielt eine entscheidende Rolle bei der Optimierung der Wachstumsumgebung für Siliziumkarbid-Kristalle (SiC) und trägt erheblich zur Qualität und Leistung des Endprodukts bei.*
WeiterlesenAnfrage absendenSemicorex LPE Part ist eine SiC-beschichtete Komponente, die speziell für den SiC-Epitaxieprozess entwickelt wurde und außergewöhnliche thermische Stabilität und chemische Beständigkeit bietet, um einen effizienten Betrieb in Hochtemperatur- und rauen Umgebungen zu gewährleisten. Wenn Sie sich für Semicorex-Produkte entscheiden, profitieren Sie von hochpräzisen, langlebigen kundenspezifischen Lösungen, die den SiC-Epitaxie-Wachstumsprozess optimieren und die Produktionseffizienz steigern.*
WeiterlesenAnfrage absendenDas Semicorex-Siliziumkarbid-Tablett ist so konstruiert, dass es extremen Bedingungen standhält und gleichzeitig eine bemerkenswerte Leistung gewährleistet. Es spielt eine entscheidende Rolle beim ICP-Ätzprozess, der Halbleiterdiffusion und dem MOCVD-Epitaxieprozess.
WeiterlesenAnfrage absendenDie Epitaxiekomponente von Semicorex ist ein entscheidendes Element bei der Herstellung hochwertiger SiC-Substrate für fortschrittliche Halbleiteranwendungen und eine zuverlässige Wahl für LPE-Reaktorsysteme. Durch die Wahl von Semicorex Epitaxy Component können Kunden auf ihre Investition vertrauen und ihre Produktionskapazitäten auf dem wettbewerbsintensiven Halbleitermarkt verbessern.*
WeiterlesenAnfrage absendenDie Semicorex LPE-Halbmond-Reaktionskammer ist für den effizienten und zuverlässigen Betrieb der SiC-Epitaxie unverzichtbar. Sie gewährleistet die Produktion hochwertiger Epitaxieschichten und reduziert gleichzeitig die Wartungskosten und steigert die Betriebseffizienz. **
WeiterlesenAnfrage absendenDer Semicorex 6'' Wafer Carrier für Aixtron G5 bietet eine Vielzahl von Vorteilen für den Einsatz in Aixtron G5-Geräten, insbesondere in Hochtemperatur- und hochpräzisen Halbleiterfertigungsprozessen.**
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