Als professioneller Hersteller möchten wir Ihnen SiC-Epitaxie anbieten. Und wir bieten Ihnen den besten Kundendienst und eine pünktliche Lieferung. Semicorex liefert CVD-Siliziumkarbid-beschichtete Graphit-Suszeptoren zur Unterstützung von Wafern. Ihre mit hochreinem Siliziumkarbid (SiC) beschichtete Graphitkonstruktion bietet eine hervorragende Hitzebeständigkeit, eine gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit für eine gleichmäßige Dicke und Beständigkeit der Epi-Schicht sowie eine dauerhafte chemische Beständigkeit. Die feine SiC-Kristallbeschichtung sorgt für eine saubere, glatte Oberfläche, was für die Handhabung von entscheidender Bedeutung ist, da makellose Wafer den Suszeptor an vielen Stellen über ihre gesamte Fläche berühren.
Die Semikorex -Satellitenplatte ist eine kritische Komponente, die in Semiconductor -Epitaxy -Reaktoren verwendet wird, die speziell für Aixtron G5+ -Aufätigkeit ausgelegt sind. Semicorex kombiniert fortschrittliches materielles Know-how mit modernster Beschichtungstechnologie, um zuverlässige Hochleistungslösungen zu liefern, die auf anspruchsvolle industrielle Anwendungen zugeschnitten sind.**
WeiterlesenAnfrage absendenSemicorex Planetary Susceceptor ist eine hochreinbare Graphitkomponente mit einer SIC-Beschichtung, die für Aixtron G5+ -Reaktoren ausgelegt ist, um eine gleichmäßige Wärmeverteilung, chemische Resistenz und epitaxiale Schichtwachstum mit hoher Präzision zu gewährleisten.**
WeiterlesenAnfrage absendenSemicorex SIC Coating Flat-Teil ist eine SIC-beschichtete Graphitkomponente, die für eine gleichmäßige Luftstromleitung im SIC-Epitaxieprozess von wesentlicher Bedeutung ist. Semicorex liefert präzisionsmotorierte Lösungen mit unübertroffener Qualität und sorgt für eine optimale Leistung für die Herstellung von Halbleiter.*
WeiterlesenAnfrage absendenDie SiC-Beschichtungskomponente von Semicorex ist ein unverzichtbares Material, das die anspruchsvollen Anforderungen des SiC-Epitaxieprozesses erfüllt, einem entscheidenden Schritt in der Halbleiterfertigung. Es spielt eine entscheidende Rolle bei der Optimierung der Wachstumsumgebung für Siliziumkarbid-Kristalle (SiC) und trägt erheblich zur Qualität und Leistung des Endprodukts bei.*
WeiterlesenAnfrage absendenSemicorex LPE Part ist eine SiC-beschichtete Komponente, die speziell für den SiC-Epitaxieprozess entwickelt wurde und außergewöhnliche thermische Stabilität und chemische Beständigkeit bietet, um einen effizienten Betrieb in Hochtemperatur- und rauen Umgebungen zu gewährleisten. Wenn Sie sich für Semicorex-Produkte entscheiden, profitieren Sie von hochpräzisen, langlebigen kundenspezifischen Lösungen, die den SiC-Epitaxie-Wachstumsprozess optimieren und die Produktionseffizienz steigern.*
WeiterlesenAnfrage absendenDas Semicorex-Siliziumkarbid-Tablett ist so konstruiert, dass es extremen Bedingungen standhält und gleichzeitig eine bemerkenswerte Leistung gewährleistet. Es spielt eine entscheidende Rolle beim ICP-Ätzprozess, der Halbleiterdiffusion und dem MOCVD-Epitaxieprozess.
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