Über uns

Semicorex Advanced Material Technology Co., Ltd ist ein führender Qualitätsanbieter von erstklassigen SiC-Beschichtungsprodukten aus der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) in China. Wir engagieren uns für die Erforschung und Entwicklung innovativer Halbleitermaterialien, insbesondere der SiC-Beschichtungstechnologie und deren Anwendung in der Halbleiterindustrie. Wir bieten eine große Auswahl an hochwertigen Produkten wie zSiC-beschichtete Graphitsuszeptoren, Siliziumkarbid beschichtet, Tiefen-UV-Epitaxie-Suszeptoren, CVD-Substratheizer, CVD-SiC-Waferträger, Wafer-Boote, ebenso gut wieHalbleiterkomponentenUndKeramikprodukte aus Siliziumkarbid.

Der SiC-Dünnfilm, der in der LED-Chip-Epitaxie und in Silizium-Einkristallsubstraten verwendet wird, hat eine kubische Phase mit der gleichen Kristallgitterstruktur wie Diamant und ist in der Härte nur von Diamant übertroffen. SiC ist ein weithin anerkanntes Halbleitermaterial mit großem Bandabstand und einem immensen Anwendungspotenzial in der Halbleiterelektronikindustrie und weist hervorragende physikalische und chemische Eigenschaften auf, wie z. B. eine hohe Wärmeleitfähigkeit, einen niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten sowie eine hohe Temperaturbeständigkeit und Korrosionsbeständigkeit.

Bei der Herstellung elektronischer Geräte müssen Wafer mehrere Schritte durchlaufen, einschließlich der Siliziumepitaxie, bei der die Wafer auf Graphitsuszeptoren getragen werden. Die Qualität und Eigenschaften der Suszeptoren spielen eine entscheidende Rolle für die Qualität der Epitaxieschicht des Wafers. Die Graphitbasis ist eine der Kernkomponenten von MOCVD-Anlagen, und sie ist der Träger und die Heizung des Substrats. Seine thermisch stabilen Leistungsparameter wie thermische Gleichmäßigkeit spielen eine entscheidende Rolle für die Qualität des epitaktischen Materialwachstums und bestimmen direkt die durchschnittliche Gleichmäßigkeit und Reinheit.

Bei Semicorex verwenden wir CVD, um dichte β-SiC-Schichten auf hochfestem isostatischem Graphit herzustellen, das im Vergleich zu gesinterten SiC-Materialien eine höhere Reinheit aufweist. Unsere Produkte wie SiC-beschichtete Graphitsuszeptoren verleihen der Graphitbasis spezielle Eigenschaften, die die Oberfläche der Graphitbasis kompakt, glatt und porenfrei, überlegen hitzebeständig, thermisch gleichmäßig, korrosionsbeständig und oxidationsbeständig machen.

Die SiC-Beschichtungstechnologie hat insbesondere beim Wachstum von LED-Epitaxieträgern und der Si-Einkristallepitaxie weit verbreitete Anwendung gefunden. Mit dem schnellen Wachstum der Halbleiterindustrie ist die Nachfrage nach SiC-Beschichtungstechnologie und -produkten deutlich gestiegen. Unsere SiC-Beschichtungsprodukte haben ein breites Anwendungsspektrum in der Luft- und Raumfahrt, der Photovoltaikindustrie, der Kernenergie, der Hochgeschwindigkeitsbahn, der Automobilindustrie und anderen Industrien.

Produktanwendung

LED-IC-Epitaxie

Einkristall-Silizium-Epitaxie

RTP/TRA-Waferträger

ICP/PSS-Ätzung

Plasmaätzen

SiC-Epitaxie

Monokristalline Silizium-Epitaxie

GaN-Epitaxie auf Siliziumbasis

Tiefe UV-Epitaxie

Ätzen von Halbleitern

Photovoltaik Industrie

SiC-Epitaxie-CVD-System

SiC-Epitaxiefilmwachstumsausrüstung

MOCVD-Reaktor

MOCVD-System

CVD-Ausrüstung

PECVD-Systeme

LPE-Systeme

Aixtron-Systeme

Nuflare-Systeme

TEL CVD-Systeme

Vecco-Systeme

TSI-Systeme