SiC-beschichteter ICP-Ätzträger

Waferträger, die in Dünnschichtabscheidungsphasen wie Epitaxie oder MOCVD oder bei der Waferhandhabung wie Ätzen verwendet werden, müssen hohen Temperaturen und einer aggressiven chemischen Reinigung standhalten. Semicorex liefert hochreine SiC-beschichtete ICP-Ätzträger, die eine hervorragende Hitzebeständigkeit, gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit für eine gleichmäßige Epi-Schichtdicke und -beständigkeit sowie eine dauerhafte chemische Beständigkeit bieten. Die feine SiC-Kristallbeschichtung sorgt für eine saubere, glatte Oberfläche, was für die Handhabung von entscheidender Bedeutung ist, da makellose Wafer den Suszeptor an vielen Stellen über ihre gesamte Fläche berühren.

Unser SiC-beschichteter ICP-Ätzträger ist darauf ausgelegt, das beste laminare Gasströmungsmuster zu erzielen und ein gleichmäßiges thermisches Profil sicherzustellen. Dies trägt dazu bei, jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen zu verhindern und sorgt für ein qualitativ hochwertiges epitaktisches Wachstum auf dem Wafer-Chip.

Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unseren SiC-beschichteten ICP-Ätzträger zu erfahren.

Parameter des SiC-beschichteten ICP-Ätzträgers

Merkmale des hochreinen SiC-beschichteten ICP-Ätzträgers

- Vermeiden Sie ein Abblättern und stellen Sie sicher, dass die Beschichtung auf der gesamten Oberfläche vorhanden ist

Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen: Stabil bei hohen Temperaturen bis zu 1600 °C

Hohe Reinheit: hergestellt durch CVD-chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.

Korrosionsbeständigkeit: hohe Härte, dichte Oberfläche und feine Partikel.

Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.

- Erzielen Sie das beste laminare Gasströmungsmuster

- Gewährleistung der Gleichmäßigkeit des thermischen Profils

- Verhindern Sie jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen