SiC-beschichteter ICP-Ätzträger

Waferträger, die in Dünnschichtabscheidungsphasen wie Epitaxie oder MOCVD oder in der Waferhandhabungsverarbeitung wie Ätzen verwendet werden, müssen hohen Temperaturen und einer harten chemischen Reinigung standhalten. Semicorex liefert einen hochreinen SiC-beschichteten ICP-Ätzträger, der eine hervorragende Hitzebeständigkeit, gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit für eine konsistente Dicke und Beständigkeit der Epi-Schicht sowie eine dauerhafte chemische Beständigkeit bietet. Eine feine SiC-Kristallbeschichtung sorgt für eine saubere, glatte Oberfläche, die für die Handhabung entscheidend ist, da makellose Wafer den Suszeptor an vielen Punkten über ihre gesamte Fläche berühren.

Unser SiC-beschichteter ICP-Ätzträger wurde entwickelt, um das beste laminare Gasströmungsmuster zu erzielen und ein gleichmäßiges thermisches Profil zu gewährleisten. Dies trägt dazu bei, jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen zu verhindern, wodurch ein qualitativ hochwertiges epitaxiales Wachstum auf dem Waferchip sichergestellt wird.

Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unseren SiC-beschichteten ICP-Ätzträger zu erfahren.

Parameter des SiC-beschichteten ICP-Ätzträgers

Merkmale des hochreinen SiC-beschichteten ICP-Ätzträgers

- Ablösen vermeiden und Beschichtung auf allen Oberflächen sicherstellen

Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit: Stabil bei hohen Temperaturen bis zu 1600 °C

Hohe Reinheit: Hergestellt durch CVD-CVD unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.

Korrosionsbeständigkeit: hohe Härte, dichte Oberfläche und feine Partikel.

Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.

- Erzielen Sie das beste laminare Gasströmungsmuster

- Gewährleistung der Gleichmäßigkeit des thermischen Profils

- Verhindern Sie jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen