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China Siliziumkarbidbeschichtet Hersteller, Lieferanten, Fabrik

Bei der SiC-Beschichtung handelt es sich um eine dünne Schicht auf dem Suszeptor, die im CVD-Verfahren (Chemical Vapour Deposition) aufgebracht wird. Siliziumkarbid-Material bietet eine Reihe von Vorteilen gegenüber Silizium, darunter die 10-fache elektrische Durchbruchfeldstärke und die 3-fache Bandlücke, was dem Material eine hohe Temperatur- und Chemikalienbeständigkeit, eine ausgezeichnete Verschleißfestigkeit sowie Wärmeleitfähigkeit verleiht.

Semicorex bietet maßgeschneiderten Service und hilft Ihnen bei der Innovation mit Komponenten, die länger halten, Zykluszeiten verkürzen und Erträge verbessern.


Die SiC-Beschichtung bietet mehrere einzigartige Vorteile

Hohe Temperaturbeständigkeit: Der CVD-SiC-beschichtete Suszeptor kann hohen Temperaturen von bis zu 1600 °C standhalten, ohne dass es zu einer nennenswerten thermischen Beeinträchtigung kommt.

Chemikalienbeständigkeit: Die Siliziumkarbidbeschichtung bietet eine hervorragende Beständigkeit gegen eine Vielzahl von Chemikalien, darunter Säuren, Laugen und organische Lösungsmittel.

Verschleißfestigkeit: Die SiC-Beschichtung verleiht dem Material eine hervorragende Verschleißfestigkeit und eignet sich daher für Anwendungen mit hohem Verschleiß.

Wärmeleitfähigkeit: Die CVD-SiC-Beschichtung verleiht dem Material eine hohe Wärmeleitfähigkeit und eignet sich daher für den Einsatz in Hochtemperaturanwendungen, die eine effiziente Wärmeübertragung erfordern.

Hohe Festigkeit und Steifigkeit: Der mit Siliziumkarbid beschichtete Suszeptor verleiht dem Material eine hohe Festigkeit und Steifigkeit und eignet sich daher für Anwendungen, die eine hohe mechanische Festigkeit erfordern.


SiC-Beschichtungen werden in verschiedenen Anwendungen eingesetzt

LED-Herstellung: CVD-SiC-beschichteter Suszeptor wird aufgrund seiner hohen Wärmeleitfähigkeit und chemischen Beständigkeit bei der Herstellung verschiedener LED-Typen verwendet, einschließlich blauer und grüner LEDs, UV-LEDs und Deep-UV-LEDs.



Mobile Kommunikation: CVD-SiC-beschichteter Suszeptor ist ein entscheidender Bestandteil des HEMT zur Vervollständigung des GaN-auf-SiC-Epitaxieprozesses.



Halbleiterverarbeitung: CVD-SiC-beschichtete Suszeptoren werden in der Halbleiterindustrie für verschiedene Anwendungen verwendet, einschließlich Waferverarbeitung und epitaktisches Wachstum.





SiC-beschichtete Graphitkomponenten

Die aus Siliziumkarbid-Beschichtungsgraphit (SiC) hergestellte Beschichtung wird durch ein CVD-Verfahren auf bestimmte Graphitqualitäten hoher Dichte aufgetragen, sodass sie im Hochtemperaturofen mit über 3000 °C in einer inerten Atmosphäre und 2200 °C im Vakuum betrieben werden kann .

Die besonderen Eigenschaften und die geringe Masse des Materials ermöglichen schnelle Aufheizraten, eine gleichmäßige Temperaturverteilung und eine hervorragende Präzision bei der Steuerung.


Materialdaten der Semicorex SiC-Beschichtung

Typische Eigenschaften

Einheiten

Werte

Struktur


FCC-β-Phase

Orientierung

Anteil (%)

111 bevorzugt

Schüttdichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickershärte

2500

Wärmekapazität

J kg-1 K-1

640

Wärmeausdehnung 100–600 °C (212–1112 °F)

10-6K-1

4.5

Elastizitätsmodul

Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)

430

Körnung

μm

2~10

Sublimationstemperatur

2700

Biegekraft

MPa (RT 4-Punkt)

415

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Fazit: CVD-SiC-beschichteter Suszeptor ist ein Verbundmaterial, das die Eigenschaften eines Suszeptors und von Siliziumkarbid kombiniert. Dieses Material verfügt über einzigartige Eigenschaften, darunter hohe Temperatur- und Chemikalienbeständigkeit, ausgezeichnete Verschleißfestigkeit, hohe Wärmeleitfähigkeit sowie hohe Festigkeit und Steifigkeit. Diese Eigenschaften machen es zu einem attraktiven Material für verschiedene Hochtemperaturanwendungen, darunter Halbleiterverarbeitung, chemische Verarbeitung, Wärmebehandlung, Solarzellenherstellung und LED-Herstellung.






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SiC-Beschichtungskomponente

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Die SiC-Beschichtungskomponente von Semicorex ist ein unverzichtbares Material, das die anspruchsvollen Anforderungen des SiC-Epitaxieprozesses erfüllt, einem entscheidenden Schritt in der Halbleiterfertigung. Es spielt eine entscheidende Rolle bei der Optimierung der Wachstumsumgebung für Siliziumkarbid-Kristalle (SiC) und trägt erheblich zur Qualität und Leistung des Endprodukts bei.*

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LPE-Teil

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Semicorex LPE Part ist eine SiC-beschichtete Komponente, die speziell für den SiC-Epitaxieprozess entwickelt wurde und außergewöhnliche thermische Stabilität und chemische Beständigkeit bietet, um einen effizienten Betrieb in Hochtemperatur- und rauen Umgebungen zu gewährleisten. Wenn Sie sich für Semicorex-Produkte entscheiden, profitieren Sie von hochpräzisen, langlebigen kundenspezifischen Lösungen, die den SiC-Epitaxie-Wachstumsprozess optimieren und die Produktionseffizienz steigern.*

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Flacher Rezeptor mit SiC-Beschichtung

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Der Semicorex SiC Coating Flat Susceptor ist ein Hochleistungs-Substrathalter, der für präzises epitaktisches Wachstum in der Halbleiterfertigung entwickelt wurde. Wählen Sie Semicorex für zuverlässige, langlebige und hochwertige Suszeptoren, die die Effizienz und Präzision Ihrer CVD-Prozesse verbessern.*

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Pancake-Suszeptor mit SiC-Beschichtung

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RTP-Ring

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Der Semicorex RTP-Ring ist ein SiC-beschichteter Graphitring, der für Hochleistungsanwendungen in RTP-Systemen (Rapid Thermal Processing) entwickelt wurde. Wählen Sie Semicorex aufgrund unserer fortschrittlichen Materialtechnologie, die eine überragende Haltbarkeit, Präzision und Zuverlässigkeit bei der Halbleiterfertigung gewährleistet.*

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Epitaxieempfänger

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Der Semicorex Epitaxial Susceptor mit SiC-Beschichtung wurde entwickelt, um SiC-Wafer während des epitaktischen Wachstumsprozesses zu stützen und zu halten und so Präzision und Gleichmäßigkeit bei der Halbleiterfertigung zu gewährleisten. Wählen Sie Semicorex aufgrund seiner hochwertigen, langlebigen und anpassbaren Produkte, die den strengen Anforderungen fortschrittlicher Halbleiteranwendungen gerecht werden.*

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