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China Siliziumkarbid beschichtet Hersteller, Lieferanten, Fabrik

Die SiC-Beschichtung ist eine dünne Schicht auf dem Suszeptor durch das chemische Gasphasenabscheidungsverfahren (CVD). Siliziumkarbid-Material bietet eine Reihe von Vorteilen gegenüber Silizium, einschließlich der 10-fachen elektrischen Durchschlagsfeldstärke, der 3-fachen Bandlücke, was dem Material eine hohe Temperatur- und Chemikalienbeständigkeit, eine hervorragende Verschleißfestigkeit sowie eine Wärmeleitfähigkeit verleiht.

Semicorex bietet maßgeschneiderten Service, hilft Ihnen bei Innovationen mit Komponenten, die länger halten, Zykluszeiten verkürzen und Erträge verbessern.


Die SiC-Beschichtung besitzt mehrere einzigartige Vorteile

Hohe Temperaturbeständigkeit: CVD-SiC-beschichteter Suszeptor kann hohen Temperaturen von bis zu 1600 °C standhalten, ohne einer signifikanten thermischen Verschlechterung zu unterliegen.

Chemikalienbeständigkeit: Die Siliziumkarbidbeschichtung bietet eine hervorragende Beständigkeit gegen eine Vielzahl von Chemikalien, einschließlich Säuren, Laugen und organischen Lösungsmitteln.

Verschleißfestigkeit: Die SiC-Beschichtung verleiht dem Material eine hervorragende Verschleißfestigkeit, wodurch es für Anwendungen mit hohem Verschleiß geeignet ist.

Wärmeleitfähigkeit: Die CVD-SiC-Beschichtung verleiht dem Material eine hohe Wärmeleitfähigkeit, wodurch es für den Einsatz in Hochtemperaturanwendungen geeignet ist, die eine effiziente Wärmeübertragung erfordern.

Hohe Festigkeit und Steifigkeit: Der mit Siliziumkarbid beschichtete Suszeptor verleiht dem Material eine hohe Festigkeit und Steifigkeit, wodurch es für Anwendungen geeignet ist, die eine hohe mechanische Festigkeit erfordern.


SiC-Beschichtung wird in verschiedenen Anwendungen eingesetzt

LED-Herstellung: CVD-SiC-beschichteter Suszeptor wird aufgrund seiner hohen Wärmeleitfähigkeit und chemischen Beständigkeit bei der Herstellung von verschiedenen LED-Typen verwendet, einschließlich blauer und grüner LED, UV-LED und Tief-UV-LED.



Mobilkommunikation: CVD-SiC-beschichteter Suszeptor ist ein entscheidender Teil des HEMT, um den GaN-auf-SiC-Epitaxieprozess abzuschließen.



Halbleiterverarbeitung: CVD-SiC-beschichteter Suszeptor wird in der Halbleiterindustrie für verschiedene Anwendungen verwendet, einschließlich Waferverarbeitung und Epitaxiewachstum.





SiC-beschichtete Graphitbauteile

Die Beschichtung aus Graphit mit Siliziumkarbidbeschichtung (SiC) wird durch ein CVD-Verfahren auf bestimmte Sorten von Graphit mit hoher Dichte aufgebracht, sodass sie im Hochtemperaturofen mit über 3000 °C in einer inerten Atmosphäre und 2200 °C im Vakuum betrieben werden kann .

Die besonderen Eigenschaften und die geringe Masse des Materials ermöglichen schnelle Aufheizraten, gleichmäßige Temperaturverteilung und hervorragende Regelgenauigkeit.


Materialdaten der Semicorex SiC-Beschichtung

Typische Eigenschaften

Einheiten

Werte

Struktur


FCC β-Phase

Orientierung

Bruchteil (%)

111 bevorzugt

Schüttdichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickers-Härte

2500

Wärmekapazität

J·kg –1 ·K –1

640

Wärmeausdehnung 100–600 °C (212–1112 °F)

10-6K-1

4.5

Elastizitätsmodul

Gpa (4pt Biegung, 1300â)

430

Körnung

μm

2~10

Sublimationstemperatur

2700

Biegefestigkeit

MPa (RT 4-Punkt)

415

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Schlussfolgerung Ein CVD-SiC-beschichteter Suszeptor ist ein Verbundmaterial, das die Eigenschaften eines Suszeptors und von Siliziumkarbid kombiniert. Dieses Material besitzt einzigartige Eigenschaften, einschließlich hoher Temperatur- und Chemikalienbeständigkeit, ausgezeichneter Verschleißfestigkeit, hoher Wärmeleitfähigkeit sowie hoher Festigkeit und Steifigkeit. Diese Eigenschaften machen es zu einem attraktiven Material für verschiedene Hochtemperaturanwendungen, einschließlich Halbleiterverarbeitung, chemische Verarbeitung, Wärmebehandlung, Solarzellenherstellung und LED-Herstellung.






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