Die Siliziumkarbid (SiC)-Epitaxie ist eine Schlüsseltechnologie auf dem Gebiet der Halbleiter, insbesondere für die Entwicklung elektronischer Hochleistungsgeräte. SiC ist ein Verbindungshalbleiter mit einer großen Bandlücke, was ihn ideal für Anwendungen macht, die einen Hochtemperatur- und Hochspa......
WeiterlesenDer epitaxiale Waferprozess ist eine kritische Technik, die in der Halbleiterherstellung verwendet wird. Es beinhaltet das Wachstum einer dünnen Schicht aus Kristallmaterial auf einem Substrat, das die gleiche Kristallstruktur und -orientierung wie das Substrat hat. Dieser Prozess schafft eine hochw......
WeiterlesenEpitaktische Wafer werden seit Jahrzehnten in der Elektronikindustrie verwendet, aber ihre Bedeutung hat mit fortschreitender Technologie nur zugenommen. In diesem Artikel werden wir untersuchen, was Epitaxiewafer sind und warum sie ein so wesentlicher Bestandteil moderner Elektronik sind.
WeiterlesenHalbleiter sind Materialien, die elektrische Eigenschaften zwischen Leitern und Isolatoren lenken, mit gleicher Wahrscheinlichkeit von Verlust und Aufnahme von Elektronen in der äußersten Schicht des Atomkerns, und lassen sich leicht zu PN-Übergängen verarbeiten. Wie "Silizium (Si)", "Germanium (Ge)......
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