Die SiC-Prozesstechnologie Chemical Vapour Deposition (CVD) ist für die Herstellung leistungsstarker Leistungselektronik unerlässlich und ermöglicht das präzise epitaktische Wachstum hochreiner Siliziumkarbidschichten auf Substratwafern. Durch die Nutzung der großen Bandlücke und der überlegenen Wär......
WeiterlesenUnterschiedliche Anwendungsszenarien stellen unterschiedliche Leistungsanforderungen an Graphitprodukte, sodass eine präzise Materialauswahl ein zentraler Schritt bei der Anwendung von Graphitprodukten ist. Die Wahl von Graphitkomponenten mit einer Leistung, die zu den Anwendungsszenarien passt, kan......
WeiterlesenDas thermische Feld des Einkristallwachstums ist die räumliche Temperaturverteilung innerhalb des Hochtemperaturofens während des Einkristallwachstumsprozesses, die sich direkt auf die Qualität, Wachstumsrate und Kristallbildungsrate des Einkristalls auswirkt. Das thermische Feld kann in stationäre ......
WeiterlesenDie fortschrittliche Halbleiterfertigung besteht aus mehreren Prozessschritten, darunter Dünnschichtabscheidung, Fotolithographie, Ätzen, Ionenimplantation und chemisch-mechanisches Polieren. Während dieses Prozesses können sich selbst kleinste Fehler im Prozess nachteilig auf die Leistung und Zuver......
WeiterlesenHochreine Graphitplatten sind plattenförmige Kohlenstoffmaterialien, die aus erstklassigen Rohstoffen wie Petrolkoks, Pechkoks oder hochreinem Naturgraphit durch eine Reihe von Produktionsprozessen wie Kalzinierung, Kneten, Formen, Backen, Hochtemperaturgraphitierung (über 2800℃) und Reinigung herge......
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