Der Semicorex-RTP-Träger ist mit dem CVD-Verfahren (Chemical Vapor Deposition) mit Siliziumkarbid beschichtet, das für RTA, RTP oder aggressive chemische Reinigung wirklich stabil ist. Im Kern des Halbleiterprozesses werden die Epitaxie-Suszeptoren zuerst der Abscheidungsumgebung ausgesetzt, sodass sie eine hohe Hitze- und Korrosionsbeständigkeit aufweisen. Der SiC-beschichtete Träger hat auch eine hohe Wärmeleitfähigkeit und ausgezeichnete Wärmeverteilungseigenschaften.
â Hochreiner SiC-beschichteter Graphit
â Hervorragende Hitzebeständigkeit und Chemikalienbeständigkeit
â Hohe thermische Einheitlichkeit
â Hervorragende Verschleißfestigkeit
Die RTP-Graphit-Trägerplatte von Semicorex ist die perfekte Lösung für Halbleiterwafer-Verarbeitungsanwendungen, einschließlich Epitaxiewachstum und Wafer-Handling-Verarbeitung. Unser Produkt ist so konzipiert, dass es eine hervorragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit bietet und sicherstellt, dass die Epitaxie-Suszeptoren der Abscheidungsumgebung mit hoher Hitze- und Korrosionsbeständigkeit ausgesetzt sind.
WeiterlesenAnfrage absendenDer SiC-Beschichtungsträger Semicorex RTP bietet überlegene Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit und ist damit die perfekte Lösung für Halbleiterwafer-Verarbeitungsanwendungen. Mit seinem hochwertigen SiC-beschichteten Graphit ist dieses Produkt so konzipiert, dass es den härtesten Abscheidungsumgebungen für epitaktisches Wachstum standhält. Die hohe Wärmeleitfähigkeit und die hervorragenden Wärmeverteilungseigenschaften gewährleisten eine zuverlässige Leistung für RTA-, RTP- oder aggressive chemische Reinigung.
WeiterlesenAnfrage absendenDer SiC-Beschichtungsträger Semicorex RTP/RTA wurde entwickelt, um den härtesten Bedingungen der Abscheidungsumgebung standzuhalten. Mit seiner hohen Hitze- und Korrosionsbeständigkeit wurde dieses Produkt entwickelt, um eine optimale Leistung für epitaktisches Wachstum zu bieten. Der SiC-beschichtete Träger hat eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften, was eine zuverlässige Leistung für RTA, RTP oder aggressive chemische Reinigung gewährleistet.
WeiterlesenAnfrage absendenDie Semicorex-SiC-Graphit-RTP-Trägerplatte für MOCVD bietet eine hervorragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit und ist damit die perfekte Lösung für Halbleiterwafer-Verarbeitungsanwendungen. Mit einem hochwertigen SiC-beschichteten Graphit ist dieses Produkt so konstruiert, dass es den rauesten Abscheidungsumgebungen für epitaktisches Wachstum standhält. Die hohe Wärmeleitfähigkeit und die hervorragenden Wärmeverteilungseigenschaften gewährleisten eine zuverlässige Leistung für RTA-, RTP- oder aggressive chemische Reinigung.
WeiterlesenAnfrage absendenSemicorex SiC-beschichtete RTP-Trägerplatte für epitaxiales Wachstum ist die perfekte Lösung für Halbleiterwafer-Verarbeitungsanwendungen. Mit seinen hochwertigen Kohlenstoff-Graphit-Suszeptoren und Quarztiegeln, die durch MOCVD auf der Oberfläche von Graphit, Keramik usw. verarbeitet werden, ist dieses Produkt ideal für die Wafer-Handhabung und die epitaxiale Wachstumsverarbeitung. Der SiC-beschichtete Träger gewährleistet eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften, was ihn zu einer zuverlässigen Wahl für RTA-, RTP- oder aggressive chemische Reinigung macht.
WeiterlesenAnfrage absendenSemicorex ist ein großer Hersteller und Lieferant von mit Siliziumkarbid beschichteten Graphitsuszeptoren in China. Semicorex-Graphit-Suszeptor, der speziell für Epitaxiegeräte mit hoher Hitze- und Korrosionsbeständigkeit in China entwickelt wurde. Unser RTP RTA SiC-beschichteter Träger hat einen guten Preisvorteil und deckt viele der europäischen und amerikanischen Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner zu werden.
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