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Silizium -Carbid -Waferboot

Hinter jedem Hochtemperaturprozess in der Herstellung von Wafer steht ein stiller, aber wichtiger Spieler: das Waferboot. Als Kernträger, der den Siliziumwafer während der Waferverarbeitung direkt kontaktiert, hängen sein Material, seine Stabilität und seine Sauberkeit direkt mit der endgültigen Chi......

Siliziumnitrid -Keramik -Substrat

Siliziumnitrid-Keramik-Substrat ist ein Hochleistungs-Keramik-Substrat aus Siliziumnitrid (si₃n₄) als Kernmaterial. Seine Hauptkomponenten sind Silizium- (SI )- und Stickstoffelemente (N), die chemisch zu SI₃n₄ gebunden sind.

Was ist der Unterschied zwischen Arsen -Doping und Phosphor -Doping im Einzelkristall -Silizium

Beide sind Halbleiter vom Typ N-Typ, aber was ist der Unterschied zwischen Arsen und Phosphor-Doping im Einzelkristall-Silizium? In Einzelkristall-Silizium werden Arsen (AS) und Phosphor (P) beide häufig verwendete Dotierstoffe vom Typ N-Typ (Pentavalentelemente, die freie Elektronen liefern) verwen......

Große Keramikkomponenten in der Herstellung von Halbleiter

Die Halbleiterausrüstung besteht aus Kammern und Kammern, und die meisten Keramik werden in Kammern näher an den Wafern verwendet. Keramische Teile, wichtige Komponenten, die in den Hohlräumen der Kerngeräte weit verbreitet sind, sind Halbleiterausrüstungskomponenten, die durch Präzisionsverarbeitun......

Graphitprodukte für Vakuumofen

Graphitprodukte sind wichtige und unverzichtbare Komponenten im Semiconductor -Herstellungsprozess, einschließlich isostatischer Graphit, poröser Graphit, Filz usw.

Gan Market ändert sich

Siliziumcarbide (SIC) steht derzeit im "Preiskrieg" vor Herausforderungen, während Gallium Nitride (GaN) als Schlüsselspieler auf dem nächsten technologischen Schlachtfeld herauskommt.

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