Rapid Thermal Annealing (abgekürzt RTA oder RTP) ist eine schnelle thermische Verarbeitungstechnologie in der Halbleiterfertigung. Sein Kernprinzip besteht darin, die Waferoberfläche mithilfe einer hochintensiven Strahlungswärmequelle (wie Halogenlampen, Laser, Blitzlampen usw.) schnell zu erhitzen ......
WeiterlesenDie Halbleiterindustrie der dritten Generation erlebt einen rasanten Kapazitätsausbau. Die Epitaxieprozesse von Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) entwickeln sich immer weiter hin zu Hochtemperatur-Betriebsumgebungen, hochreinen Rohstoffen und miniaturisierten Chipgeräten. Dennoch neigen h......
WeiterlesenBei der Halbleiterherstellung wird der Wafer bei der Oxidation in eine Hochtemperaturumgebung gebracht, in der Sauerstoff über die Waferoberfläche strömt und eine Oxidschicht bildet. Dies schützt den Wafer vor chemischen Verunreinigungen, verhindert das Eindringen von Leckströmen in die Schaltkreise......
WeiterlesenSemicorex bietet fortschrittliche TaC-beschichtete Graphit-Wafer-Suszeptoren, die für anspruchsvolle Halbleiterprozesse entwickelt wurden, die eine hervorragende thermische Stabilität, chemische Beständigkeit und präzise Wafer-Unterstützungsleistung erfordern. Während Halbleiterhersteller weiterhin ......
WeiterlesenFokusringe sind präzisionsringförmige Teile, die typischerweise um den Wafer-Chuck von Plasmaätzgeräten herum installiert werden und während des Ätzprozesses direkt hochenergetischem Plasma ausgesetzt werden. Ihre Hauptfunktion besteht darin, als Opferteile zu fungieren, um gleichmäßige Ätzergebniss......
WeiterlesenSiC-Keramik ist das hochtemperaturbeständige Material, das im Halbleiterprozess langlebig ist. In der Zwischenzeit kann das Material hochrein sein, um das Halbleiterniveau zu erreichen. Semicorex bietet verschiedene maßgeschneiderte SiC-Keramikprodukte mit 3D-Drucktechnologie.
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