Während der Verarbeitung müssen Halbleiterwafer in speziellen Öfen erhitzt werden. Der Reaktor besteht aus langgestreckten, zylindrischen Rohren, in denen Wafer in vorgegebenen gleichen Abständen auf den Waferschiffchen positioniert sind, um die Verarbeitungsbedingungen in der Kammer zu überstehen und den Abfall der Wafer durch die Verarbeitungsausrüstung, die Waferschiffchen und vieles mehr zu minimieren Andere Geräte, die bei der Waferverarbeitung verwendet werden, bestehen aus einem Material wie Siliziumkarbid (SiC).
Die mit einer Charge zu verarbeitender Wafer beladenen Boote werden auf langen, freitragenden Paddeln positioniert, mit denen sie in die Röhrenöfen und Reaktoren eingeführt und aus diesen herausgezogen werden können. Die Paddel umfassen einen abgeflachten Trägerabschnitt, auf dem ein oder mehrere Boote positioniert werden können, und einen langen Griff an einem Ende des abgeflachten Trägerabschnitts, mit dem das Paddel gehandhabt werden kann.
Für die Verwendung von rekristallisiertem Siliziumkarbid mit einer CVD-SiC-Dünnschicht wird das Auslegerpaddel empfohlen, da es sich um eine hohe Reinheit handelt und die beste Wahl für Komponenten in der Halbleiterverarbeitung ist.
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