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China TaC-Beschichtung Hersteller, Lieferanten, Fabrik

TaC-Beschichtungsgraphit wird hergestellt, indem die Oberfläche eines hochreinen Graphitsubstrats mit einer feinen Schicht Tantalkarbid durch ein proprietäres CVD-Verfahren (Chemical Vapour Deposition) beschichtet wird.



Tantalcarbid (TaC) ist eine Verbindung, die aus Tantal und Kohlenstoff besteht. Es verfügt über metallische elektrische Leitfähigkeit und einen außergewöhnlich hohen Schmelzpunkt, was es zu einem feuerfesten Keramikmaterial macht, das für seine Festigkeit, Härte sowie Hitze- und Verschleißfestigkeit bekannt ist. Der Schmelzpunkt von Tantalkarbiden erreicht je nach Reinheit seinen Höhepunkt bei etwa 3880 °C und weist einen der höchsten Schmelzpunkte unter den binären Verbindungen auf. Dies macht es zu einer attraktiven Alternative, wenn höhere Temperaturanforderungen die Leistungsfähigkeit von Verbindungshalbleiter-Epitaxieprozessen wie MOCVD und LPE übersteigen.


Materialdaten der Semicorex TaC-Beschichtung

Projekte

Parameter

Dichte

14,3 (gm/cm³)

Emissionsgrad

0.3

WAK (×10-6/K)

6.3

Härte (HK)

2000

Widerstand (Ohm-cm)

1×10-5

Thermische Stabilität

<2500℃

Änderung der Graphitdimension

-10~-20um (Referenzwert)

Beschichtungsdicke

≥20um typischer Wert (35um±10um)



Die oben genannten Werte sind typische Werte




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Halbmondteil für LPE

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Semicorex Halfmoon Part for LPE ist eine TaC-beschichtete Graphitkomponente, die für den Einsatz in LPE-Reaktoren entwickelt wurde und eine entscheidende Rolle bei SiC-Epitaxieprozessen spielt. Wählen Sie Semicorex aufgrund seiner hochwertigen, langlebigen Komponenten, die optimale Leistung und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Halbleiterfertigungsumgebungen gewährleisten.*

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TaC-Platte

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Die Semicorex TaC-Platte ist eine leistungsstarke, TaC-beschichtete Graphitkomponente, die für den Einsatz in SiC-Epitaxie-Wachstumsprozessen entwickelt wurde. Wählen Sie Semicorex aufgrund seiner Expertise in der Herstellung zuverlässiger, hochwertiger Materialien, die die Leistung und Langlebigkeit Ihrer Halbleiterproduktionsanlagen optimieren.*

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TaC-beschichtetes Graphitteil

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Der Semicorex TaC-Ring ist eine Hochleistungskomponente, die für das Wachstum von SiC-Einkristallen entwickelt wurde und eine optimale Gasflussverteilung und Temperaturkontrolle gewährleistet. Wählen Sie Semicorex aufgrund unseres Fachwissens in fortschrittlichen Materialien und Präzisionstechnik und der Bereitstellung langlebiger und zuverlässiger Lösungen, die die Effizienz und Qualität Ihrer Halbleiterprozesse verbessern.*

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Tantalcarbid-Teil

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Semicorex Tantalum Carbide Part ist eine TaC-beschichtete Graphitkomponente, die für den Hochleistungseinsatz in Siliziumkarbid (SiC)-Kristallwachstumsanwendungen entwickelt wurde und eine hervorragende Temperatur- und Chemikalienbeständigkeit bietet. Wählen Sie Semicorex für zuverlässige, hochwertige Komponenten, die die Kristallqualität und Produktionseffizienz in der Halbleiterfertigung verbessern.*

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