China SOI-Wafer Hersteller, Lieferanten, Fabrik

Semicorex kann seinen Kunden ein breites Spektrum an Spezifikationen und hochwertigen SOI-Wafern (Silicon On Insulator – Silizium auf Isolator) für eine Vielzahl von Kundenanwendungen anbieten, darunter MEMS, Leistungsgeräte, Drucksensoren und die Herstellung integrierter CMOS-Schaltkreise. SOI-Wafer bieten eine gute Lösung für Hochgeschwindigkeits- und Low-Power-Geräte und gelten weithin als neue Lösung für Hochspannungs- und HF-Geräte. SOI-Wafer sind eine Sandwich-ähnliche (Sandwich-)Struktur mit drei Schichten; einschließlich der oberen Schicht (Geräteschicht), der mittleren vergrabenen Sauerstoffschicht (zur isolierenden SiO2-Schicht) und dem unteren Substrat (Bulk-Silizium). SOI-Wafer werden mit der SIMOX-Methode und der Wafer-Bonding-Technologie hergestellt, die unter anderem dünnere und präzisere Geräteschichten, eine gleichmäßige Dickengleichmäßigkeit und eine geringe Defektdichte ermöglicht.

Semicorex bietet SOI-Wafer mit Durchmessern von 6 Zoll, 8 Zoll und 12 Zoll, eine große Auswahl an Widerstandsbereichen von 0,001 bis 100.000 Ohm-cm und eine große Auswahl an Geräteschichtdicken von 100 nm (1000 Å) bis 300 um die einzigartigen SOI-Anforderungen vieler Kunden.

Aufgrund der vielfältigen und starken Nachfrage unserer Kunden können wir maßgeschneiderte SOI-Wafer anbieten.