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Epitaxieabscheidung von Silizium im Barrel-Reaktor

Epitaxieabscheidung von Silizium im Barrel-Reaktor

Wenn Sie einen Hochleistungs-Graphit-Suszeptor für den Einsatz in Halbleiterfertigungsanwendungen benötigen, ist der Semicorex Silicon Epitaxial Deposition In Barrel Reactor die ideale Wahl. Seine hochreine SiC-Beschichtung und außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit bieten hervorragende Schutz- und Wärmeverteilungseigenschaften und machen es zur ersten Wahl für zuverlässige und beständige Leistung selbst in den anspruchsvollsten Umgebungen.

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Produktbeschreibung

Semicorex Silicon Epitaxial Deposition In Barrel Reactor ist ein ideales Produkt für das Aufwachsen von Epixialschichten auf Waferchips. Es handelt sich um einen hochreinen SiC-beschichteten Graphitträger, der sehr hitze- und korrosionsbeständig ist und sich daher perfekt für den Einsatz in extremen Umgebungen eignet. Dieser Tonnensuszeptor ist für LPE geeignet und bietet eine hervorragende thermische Leistung, wodurch die Gleichmäßigkeit des thermischen Profils sichergestellt wird. Darüber hinaus garantiert es das beste laminare Gasströmungsmuster und verhindert, dass Kontaminationen oder Verunreinigungen in den Wafer eindiffundieren.

Bei Semicorex konzentrieren wir uns darauf, unseren Kunden qualitativ hochwertige und kostengünstige Produkte anzubieten. Unser Silicon Epitaxial Deposition In Barrel Reactor hat einen Preisvorteil und wird in viele europäische und amerikanische Märkte exportiert. Unser Ziel ist es, Ihr langfristiger Partner zu sein, der gleichbleibende Qualitätsprodukte und außergewöhnlichen Kundenservice liefert.


Parameter der epitaktischen Siliziumabscheidung im Barrel-Reaktor

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur

FCC β-Phase

Dichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickers-Härte

2500

Körnung

μm

2~10

Chemische Reinheit

%

99.99995

Wärmekapazität

J·kg –1 ·K –1

640

Sublimationstemperatur

2700

Biegefestigkeit

MPa (RT 4-Punkt)

415

Elastizitätsmodul

Gpa (4pt Biegung, 1300â)

430

Wärmeausdehnung (CTE)

10-6K-1

4.5

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Merkmale der epitaktischen Siliziumabscheidung im Barrel-Reaktor

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine gute Dichte und können eine gute schützende Rolle in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und korrosiven Einflüssen spielen.

- Mit Siliziumkarbid beschichteter Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, hat eine sehr hohe Oberflächenebenheit.

- Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht und verbessern Sie effektiv die Haftfestigkeit, um Risse und Delamination zu verhindern.

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine hohe Wärmeleitfähigkeit und ausgezeichnete Wärmeverteilungseigenschaften.

- Hoher Schmelzpunkt, Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit.




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