Epitaktische Siliziumabscheidung im Trommelreaktor

Wenn Sie einen Hochleistungs-Graphit-Suszeptor für den Einsatz in Halbleiterfertigungsanwendungen benötigen, ist der Semicorex Silicon Epitaxial Deposition In Barrel Reactor die ideale Wahl. Seine hochreine SiC-Beschichtung und außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit bieten hervorragende Schutz- und Wärmeverteilungseigenschaften und machen es zur ersten Wahl für zuverlässige und konstante Leistung selbst in den anspruchsvollsten Umgebungen.

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Produktbeschreibung

Der Semicorex Silicon Epitaxial Deposition In Barrel Reactor ist ein ideales Produkt für das Wachstum epixieller Schichten auf Wafer-Chips. Es handelt sich um einen hochreinen SiC-beschichteten Graphitträger, der äußerst hitze- und korrosionsbeständig ist und sich daher perfekt für den Einsatz in extremen Umgebungen eignet. Dieser Zylindersuszeptor ist für LPE geeignet und bietet eine hervorragende thermische Leistung, wodurch die Gleichmäßigkeit des thermischen Profils gewährleistet wird. Darüber hinaus garantiert es das beste laminare Gasströmungsmuster und verhindert, dass Verunreinigungen oder Verunreinigungen in den Wafer diffundieren.

Bei Semicorex konzentrieren wir uns darauf, unseren Kunden qualitativ hochwertige und kostengünstige Produkte anzubieten. Unser Silizium-Epitaxie-Abscheidungs-In-Fass-Reaktor hat einen Preisvorteil und wird in viele europäische und amerikanische Märkte exportiert. Unser Ziel ist es, Ihr langfristiger Partner zu sein, der gleichbleibende Qualitätsprodukte und außergewöhnlichen Kundenservice liefert.

Parameter der epitaktischen Siliziumabscheidung im Trommelreaktor

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC β phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickers-Härte	2500
Körnung	μm	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J kg-1 K-1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegekraft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)	430
Wärmeausdehnung (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300

Merkmale der epitaktischen Siliziumabscheidung im Trommelreaktor

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht weisen eine gute Dichte auf und können in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und Korrosion eine gute Schutzfunktion spielen.

- Der mit Siliziumkarbid beschichtete Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, weist eine sehr hohe Oberflächenebenheit auf.

- Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht und verbessern Sie effektiv die Haftfestigkeit, um Risse und Delaminierung zu verhindern.

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht verfügen über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften.

- Hoher Schmelzpunkt, Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen, Korrosionsbeständigkeit.

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