SiC-beschichteter Suszeptorzylinder für die Epitaxie-Reaktorkammer

Der SiC-beschichtete Suszeptorzylinder für die Epitaxie-Reaktorkammer von Semicorex ist ein Premium-Qualitätsprodukt, das nach den höchsten Standards an Präzision und Haltbarkeit hergestellt wird. Es bietet eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit und Korrosionsbeständigkeit und eignet sich hervorragend für die meisten Epitaxie-Reaktoren in der Halbleiterfertigung.
Unser SiC-beschichteter Suszeptorzylinder für die Epitaxie-Reaktorkammer ist darauf ausgelegt, das beste laminare Gasströmungsmuster zu erzielen und ein gleichmäßiges thermisches Profil sicherzustellen. Dadurch wird die Diffusion von Verunreinigungen oder Verunreinigungen verhindert und ein qualitativ hochwertiges epitaktisches Wachstum auf dem Waferchip gewährleistet.
Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unseren SiC-beschichteten Suszeptorzylinder für die Epitaxie-Reaktorkammer zu erfahren.

Parameter des SiC-beschichteten Suszeptorzylinders für die Epitaxie-Reaktorkammer

Merkmale des SiC-beschichteten Suszeptorzylinders für die Epitaxie-Reaktorkammer

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht weisen eine gute Dichte auf und können in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und Korrosion eine gute Schutzfunktion spielen.

- Der mit Siliziumkarbid beschichtete Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, weist eine sehr hohe Oberflächenebenheit auf.

- Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht und verbessern Sie effektiv die Haftfestigkeit, um Risse und Delaminierung zu verhindern.

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht verfügen über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften.

- Hoher Schmelzpunkt, Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen, Korrosionsbeständigkeit.