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SiC-beschichtete Suszeptortrommel für LPE-Reaktorkammer

SiC-beschichtete Suszeptortrommel für LPE-Reaktorkammer

Die SiC-beschichtete Suszeptortrommel für die LPE-Reaktorkammer von Semicorex ist eine äußerst zuverlässige Lösung für Halbleiterherstellungsprozesse, die sich durch hervorragende Wärmeverteilungs- und Wärmeleitfähigkeitseigenschaften auszeichnet. Es ist auch sehr widerstandsfähig gegen Korrosion, Oxidation und hohe Temperaturen.

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Produktbeschreibung

Der SiC-beschichtete Suszeptorzylinder von Semicorex für die LPE-Reaktorkammer ist ein Premium-Qualitätsprodukt, das nach den höchsten Standards in Bezug auf Präzision und Haltbarkeit hergestellt wird. Es bietet eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit, Korrosionsbeständigkeit und eignet sich hervorragend für LPE-Anwendungen in der Halbleiterfertigung.

Unser SiC-beschichteter Suszeptorzylinder für die LPE-Reaktorkammer wurde entwickelt, um das beste laminare Gasströmungsmuster zu erzielen und ein gleichmäßiges thermisches Profil zu gewährleisten. Dies trägt dazu bei, jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen zu verhindern, wodurch ein qualitativ hochwertiges epitaxiales Wachstum auf dem Waferchip sichergestellt wird.

Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unseren SiC-beschichteten Suszeptorzylinder für die LPE-Reaktorkammer zu erfahren.


Parameter des SiC-beschichteten Suszeptorzylinders für die LPE-Reaktorkammer

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur

FCC β-Phase

Dichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickers-Härte

2500

Körnung

μm

2~10

Chemische Reinheit

%

99.99995

Wärmekapazität

J·kg –1 ·K –1

640

Sublimationstemperatur

2700

Biegefestigkeit

MPa (RT 4-Punkt)

415

Elastizitätsmodul

Gpa (4pt Biegung, 1300â)

430

Wärmeausdehnung (CTE)

10-6K-1

4.5

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Merkmale des SiC-beschichteten Suszeptorzylinders für die LPE-Reaktorkammer

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine gute Dichte und können eine gute schützende Rolle in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und korrosiven Einflüssen spielen.

- Mit Siliziumkarbid beschichteter Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, hat eine sehr hohe Oberflächenebenheit.

- Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht und verbessern Sie effektiv die Haftfestigkeit, um Risse und Delamination zu verhindern.

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine hohe Wärmeleitfähigkeit und ausgezeichnete Wärmeverteilungseigenschaften.

- Hoher Schmelzpunkt, Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit.




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