SiC-Wafer-Boote

Semicorex SiC-Wafer-Boote sind fortschrittliche Komponenten, die sorgfältig für die Halbleiterfertigung entwickelt wurden, insbesondere in Diffusions- und thermischen Prozessen. Mit unserem unerschütterlichen Engagement, qualitativ hochwertige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen anzubieten, sind wir bereit, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.*

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Produktbeschreibung

Das aus Siliziumkarbid (SiC)-Keramik gefertigte SiC-Waferboot von Semicorex ist führend bei der Erfüllung der Anforderungen der Halbleiterindustrie, indem es eine beispiellose Leistung in Hochtemperaturumgebungen bietet. Da die Halbleiterindustrie die Grenzen der Mikrofabrikation unermüdlich verschiebt, wird die Nachfrage nach widerstandsfähigen und robusten Materialien immer wichtiger.

Das SiC-Wafer-Boot spielt eine entscheidende Rolle beim Halten und Stützen mehrerer Wafer während thermischer Prozesse wie Diffusion, Oxidation und chemischer Gasphasenabscheidung (CVD). Bei diesen Prozessen werden die Wafer in einer kontrollierten Atmosphäre extrem hohen Temperaturen ausgesetzt, die oft über 1000 °C liegen. Die Gleichmäßigkeit und Konsistenz dieser thermischen Behandlungen sind entscheidend für die Gewährleistung der Qualität und Leistung der hergestellten Halbleiterbauelemente. Die Fähigkeit des SiC-Wafer-Bootes, solch hohen Temperaturen ohne Verformung oder Beeinträchtigung standzuhalten, stellt sicher, dass die Wafer gleichmäßig verarbeitet werden, was zu einer überlegenen Geräteausbeute und Leistung führt.

Die außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit der SiC-Waferboote garantiert eine gleichmäßige Wärmeverteilung über alle Wafer und minimiert so das Risiko von Temperaturgradienten, die zu Defekten in den Halbleiterbauelementen führen könnten. Darüber hinaus führt der niedrige Wärmeausdehnungskoeffizient (CTE) von SiC zu einer minimalen Wärmeausdehnung und -kontraktion während der Heiz- und Kühlzyklen. Diese Stabilität ist entscheidend, um mechanische Belastungen und mögliche Schäden an den Wafern zu verhindern, insbesondere bei schrumpfenden Gerätegeometrien.

Bei thermischen Prozessen werden Wafer verschiedenen reaktiven Gasen ausgesetzt, die mit den Materialien des SiC-Waferschiffchens interagieren können. Die hervorragende chemische Beständigkeit von SiC stellt sicher, dass es nicht mit diesen Gasen reagiert, wodurch eine Kontamination verhindert und die Reinheit der Wafer gewährleistet wird. Dies ist besonders wichtig bei der Herstellung moderner Halbleiterbauelemente, wo selbst Spuren von Verunreinigungen zu Defekten führen und die Zuverlässigkeit der Bauelemente beeinträchtigen können.