Kammerdeckel aus Siliziumkarbid

Kammerdeckel aus Siliziumkarbid, die bei der Einkristallzüchtung oder MOCVD oder bei der Verarbeitung von Wafern verwendet werden, müssen hohen Temperaturen und einer aggressiven chemischen Reinigung standhalten. Semicorex liefert eine mit hochreinem Siliziumkarbid (SiC) beschichtete Graphitkonstruktion, die eine überlegene Hitzebeständigkeit, gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit für eine konsistente Dicke und Beständigkeit der Epi-Schicht sowie eine dauerhafte chemische Beständigkeit bietet. Sie sind langlebig, um eine Kombination aus flüchtigen Vorläufergasen, Plasma und hohen Temperaturen zu erfahren.
Unser Siliziumkarbid-Kammerdeckel wurde entwickelt, um das beste laminare Gasströmungsmuster zu erzielen und ein gleichmäßiges thermisches Profil zu gewährleisten. Dies trägt dazu bei, jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen zu verhindern, wodurch ein qualitativ hochwertiges epitaxiales Wachstum auf dem Waferchip sichergestellt wird.
Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unseren Siliziumkarbid-Kammerdeckel zu erfahren.

Parameter des Siliziumkarbid-Kammerdeckels

Merkmale des Siliziumkarbid-Kammerdeckels

â Ultraflache Funktionen

â Hochglanzpoliert

â Außergewöhnlich geringes Gewicht

â Hohe Steifigkeit

â Geringe thermische Ausdehnung

â Extreme Verschleißfestigkeit