Kammerdeckel aus Siliziumkarbid

Siliziumkarbid-Kammerdeckel, die bei der Kristallzüchtung und Wafer-Handhabung verwendet werden, müssen hohen Temperaturen und aggressiver chemischer Reinigung standhalten. Semicorex ist ein großer Hersteller und Lieferant von mit Siliziumkarbid beschichteten Graphitsuszeptoren in China. Unsere Produkte haben einen guten Preisvorteil und decken viele europäische und amerikanische Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner zu werden.

Anfrage absenden

Produktbeschreibung

Siliziumkarbid-Kammerdeckel, die bei der Einkristallzüchtung oder MOCVD oder bei der Wafer-Handhabung verwendet werden, müssen hohen Temperaturen und aggressiver chemischer Reinigung standhalten. Semicorex liefert hochreine, mit Siliziumkarbid (SiC) beschichtete Graphitkonstruktionen, die eine hervorragende Hitzebeständigkeit, gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit für eine gleichmäßige Epi-Schichtdicke und -beständigkeit sowie eine dauerhafte chemische Beständigkeit bieten. Sie sind beständig gegenüber einer Kombination aus flüchtigen Vorläufergasen, Plasma und hohen Temperaturen.
Unser Siliziumkarbid-Kammerdeckel ist darauf ausgelegt, das beste laminare Gasströmungsmuster zu erzielen und ein gleichmäßiges thermisches Profil sicherzustellen. Dies trägt dazu bei, jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen zu verhindern und sorgt für ein qualitativ hochwertiges epitaktisches Wachstum auf dem Wafer-Chip.
Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unseren Siliziumkarbid-Kammerdeckel zu erfahren.

Parameter des Siliziumkarbid-Kammerdeckels

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC-β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickershärte	2500
Körnung	μm	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegekraft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)	430
Wärmeausdehnung (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300