Wafer-Prozesserhitzer

Semicorex Wafer Process Heater wird aus Graphit mit Siliziumkarbidbeschichtung (SiC) hergestellt, die Beschichtung wird durch ein CVD-Verfahren auf bestimmte Graphitsorten mit hoher Dichte aufgebracht, sodass sie im Hochtemperaturofen mit über 3000 ° C in einer inerten Atmosphäre betrieben werden kann. 2200°C im Vakuum.
Die besonderen Eigenschaften und die geringe Masse des Wafer Process Heater-Materials ermöglichen schnelle Heizraten, gleichmäßige Temperaturverteilung und hervorragende Präzision in der Steuerung. Im Vergleich zu anderen Materialien bleibt die Oberfläche von Siliziumkarbid aufgrund seiner geringen Wärmeausdehnung auch bei Betrieb mit schnellen Temperaturwechseln eben. Die Heizplatten eignen sich sehr gut für anspruchsvolle Prozesse in Halbleiterverarbeitungsanlagen.
Bei Semicorex konzentrieren wir uns darauf, unseren Kunden qualitativ hochwertige und kostengünstige Produkte anzubieten. Unser Wafer Process Heater hat einen Preisvorteil und wird in viele europäische und amerikanische Märkte exportiert. Unser Ziel ist es, Ihr langfristiger Partner zu sein, der gleichbleibende Qualitätsprodukte und außergewöhnlichen Kundenservice liefert.

Parameter des Wafer-Prozesserhitzers

Merkmale des Wafer-Prozesserhitzers

- CVD-SiC-Beschichtungen zur Verbesserung der Lebensdauer.
- Hohe Temperaturbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit, lange Lebensdauer, kann die Waferqualität und -ausbeute verbessern.
- Es hat einen extrem niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten, eine hohe Temperaturbeständigkeit, eine hohe Verschleißfestigkeit, eine gute Isolierung, eine gute chemische Stabilität und eine nahezu violette (rote) Durchdringung mit sichtbarem Licht.

Wir können Antioxidationsmittel und Graphittiegel mit langer Lebensdauer, Graphitformen und alle Teile des Graphitheizers liefern.