Deckel der MOCVD-Vakuumkammer

MOCVD-Vakuumkammerdeckel, die bei der Kristallzüchtung und der Verarbeitung von Wafern verwendet werden, müssen hohen Temperaturen und einer aggressiven chemischen Reinigung standhalten. Semicorex-Siliziumkarbid-beschichteter MOCVD-Vakuumkammerdeckel, der speziell für diese herausfordernden Umgebungen entwickelt wurde. Unsere Produkte haben einen guten Preisvorteil und decken viele der europäischen und amerikanischen Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

Semicorex-Graphitkomponenten sind hochreiner SiC-beschichteter Graphit, der im Prozess zum Züchten des Einkristall- und Waferprozesses verwendet wird. Das Wachstum der MOCVD-Vakuumkammerdeckelverbindung weist eine hohe Hitze- und Korrosionsbeständigkeit auf und ist langlebig, um eine Kombination aus flüchtigen Vorläufergasen, Plasma und hohen Temperaturen zu erfahren.

Bei Semicorex verpflichten wir uns, unseren Kunden qualitativ hochwertige Produkte und Dienstleistungen anzubieten. Wir verwenden nur die besten Materialien, und unsere Produkte sind so konzipiert, dass sie die höchsten Qualitäts- und Leistungsstandards erfüllen. Unser MOCVD-Vakuumkammerdeckel ist da keine Ausnahme. Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr darüber zu erfahren, wie wir Ihnen bei der Verarbeitung Ihrer Halbleiterwafer helfen können.

Parameter des Deckels der MOCVD-Vakuumkammer

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickers-Härte	2500
Körnung	Î¼m	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J·kg –1 ·K –1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegefestigkeit	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4pt Biegung, 1300â)	430
Wärmeausdehnung (CTE)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300