Deckel der MOCVD-Vakuumkammer

MOCVD-Vakuumkammerdeckel, die bei der Kristallzüchtung und Waferhandhabung verwendet werden, müssen hohen Temperaturen und aggressiver chemischer Reinigung standhalten. Der mit Siliziumkarbid beschichtete MOCVD-Vakuumkammerdeckel von Semicorex wurde speziell für die Bewältigung dieser anspruchsvollen Umgebungen entwickelt. Unsere Produkte haben einen guten Preisvorteil und decken viele europäische und amerikanische Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

Semicorex-Graphitkomponenten bestehen aus hochreinem SiC-beschichtetem Graphit, der im Prozess zur Züchtung des Einkristalls und im Waferprozess verwendet wird. Das MOCVD-Vakuumkammerdeckel-Compound-Wachstum weist eine hohe Hitze- und Korrosionsbeständigkeit auf und ist langlebig, um einer Kombination aus flüchtigen Vorläufergasen, Plasma und hohen Temperaturen ausgesetzt zu sein.

Bei Semicorex sind wir bestrebt, unseren Kunden qualitativ hochwertige Produkte und Dienstleistungen anzubieten. Wir verwenden nur die besten Materialien und unsere Produkte sind so konzipiert, dass sie den höchsten Qualitäts- und Leistungsstandards entsprechen. Unser MOCVD-Vakuumkammerdeckel ist keine Ausnahme. Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr darüber zu erfahren, wie wir Sie bei der Verarbeitung von Halbleiterwafern unterstützen können.

Parameter des MOCVD-Vakuumkammerdeckels

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC-β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickershärte	2500
Körnung	μm	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J kg-1 K-1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegekraft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)	430
Wärmeausdehnung (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300