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PSS Etching Carrier Tray für die Waferbearbeitung

PSS Etching Carrier Tray für die Waferbearbeitung

Das PSS Etching Carrier Tray von Semicorex für die Waferverarbeitung wurde speziell für die anspruchsvollen Anwendungen von Epitaxiegeräten entwickelt. Unser ultrareiner Graphitträger ist ideal für Dünnfilm-Abscheidungsphasen wie MOCVD, Epitaxie-Suszeptoren, Pfannkuchen- oder Satellitenplattformen und Wafer-Handling-Verarbeitung wie Ätzen. Das PSS Etching Carrier Tray für die Waferverarbeitung hat eine hohe Hitze- und Korrosionsbeständigkeit, hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften und eine hohe Wärmeleitfähigkeit. Unsere Produkte sind kostengünstig und haben einen guten Preisvorteil. Wir beliefern viele europäische und amerikanische Märkte und freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

Das PSS Etching Carrier Tray für die Waferverarbeitung von Semicorex wurde für raue Umgebungen entwickelt, die für epitaxiale Wachstums- und Waferhandhabungsprozesse erforderlich sind. Unser ultrareiner Graphitträger wurde entwickelt, um Wafer während Dünnschichtabscheidungsphasen wie MOCVD- und Epitaxie-Suszeptoren, Pfannkuchen- oder Satellitenplattformen zu unterstützen. Der SiC-beschichtete Träger hat eine hohe Hitze- und Korrosionsbeständigkeit, hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften und eine hohe Wärmeleitfähigkeit. Unsere Produkte sind kostengünstig und bieten einen guten Preisvorteil.


Parameter des PSS Etching Carrier Tray für die Wafer-Verarbeitung

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur

FCC β-Phase

Dichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickers-Härte

2500

Körnung

μm

2~10

Chemische Reinheit

%

99.99995

Wärmekapazität

J·kg –1 ·K –1

640

Sublimationstemperatur

2700

Biegefestigkeit

MPa (RT 4-Punkt)

415

Elastizitätsmodul

Gpa (4pt Biegung, 1300â)

430

Wärmeausdehnung (CTE)

10-6K-1

4.5

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Merkmale des PSS Etching Carrier Tray für die Wafer-Verarbeitung

- Ablösen vermeiden und Beschichtung auf allen Oberflächen sicherstellen

Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit: Stabil bei hohen Temperaturen bis zu 1600 °C

Hohe Reinheit: Hergestellt durch CVD-CVD unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.

Korrosionsbeständigkeit: hohe Härte, dichte Oberfläche und feine Partikel.

Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.

- Erzielen Sie das beste laminare Gasströmungsmuster

- Gewährleistung der Gleichmäßigkeit des thermischen Profils

- Verhindern Sie jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen





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