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PSS Etching Carrier Tray für LED

PSS Etching Carrier Tray für LED

Bei Semicorex haben wir das PSS Etching Carrier Tray für LED speziell für die rauen Umgebungen entwickelt, die für epitaktisches Wachstum und Wafer-Handhabungsprozesse erforderlich sind. Unser hochreiner Graphitträger ist ideal für Dünnschichtabscheidungsphasen wie MOCVD, Epitaxie-Suszeptoren, Pancake- oder Satellitenplattformen und Wafer-Handhabungsprozesse wie Ätzen. Der mit SiC beschichtete Träger weist eine hohe Hitze- und Korrosionsbeständigkeit, hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften und eine hohe Wärmeleitfähigkeit auf. Unser PSS Etching Carrier Tray für LED ist kostengünstig und bietet einen guten Preisvorteil. Wir beliefern viele europäische und amerikanische Märkte und freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

Das PSS Etching Carrier Tray für LED von Semicorex wurde für raue Umgebungen entwickelt, die für epitaktisches Wachstum und Wafer-Handhabungsprozesse erforderlich sind. Unser ultrareiner Graphitträger ist für die Unterstützung von Wafern während Dünnschichtabscheidungsphasen wie MOCVD und Epitaxie-Suszeptoren, Pancake- oder Satellitenplattformen konzipiert. Der mit SiC beschichtete Träger weist eine hohe Hitze- und Korrosionsbeständigkeit, hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften und eine hohe Wärmeleitfähigkeit auf. Unsere Produkte sind kostengünstig und haben einen guten Preisvorteil. Wir beliefern viele europäische und amerikanische Märkte und freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Parameter des PSS Etching Carrier Tray für LED

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur

FCC-β-Phase

Dichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickershärte

2500

Körnung

μm

2~10

Chemische Reinheit

%

99.99995

Wärmekapazität

J kg-1 K-1

640

Sublimationstemperatur

2700

Biegekraft

MPa (RT 4-Punkt)

415

Elastizitätsmodul

Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)

430

Wärmeausdehnung (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Merkmale des PSS Etching Carrier Tray für LED

- Vermeiden Sie ein Abblättern und stellen Sie sicher, dass die Beschichtung auf der gesamten Oberfläche vorhanden ist

Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen: Stabil bei hohen Temperaturen bis 1600 °C

Hohe Reinheit: hergestellt durch CVD-chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.

Korrosionsbeständigkeit: hohe Härte, dichte Oberfläche und feine Partikel.

Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.

- Erzielen Sie das beste laminare Gasströmungsmuster

- Gewährleistung der Gleichmäßigkeit des thermischen Profils

- Verhindern Sie jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen





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