SiC-beschichteter PSS-Ätzträger

Waferträger, die beim epixialen Wachstum und bei der Waferhandhabung verwendet werden, müssen hohen Temperaturen und aggressiver chemischer Reinigung standhalten. Semicorex SiC-beschichteter PSS-Ätzträger, der speziell für diese anspruchsvollen Epitaxie-Geräteanwendungen entwickelt wurde. Unsere Produkte haben einen guten Preisvorteil und decken viele europäische und amerikanische Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

Semicorex liefert nicht nur für Dünnschichtabscheidungsphasen wie Epitaxie oder MOCVD oder Waferhandhabungsprozesse wie Ätzen ultrareine SiC-beschichtete PSS-Ätzträger, die zur Unterstützung von Wafern verwendet werden. Beim Plasmaätzen oder Trockenätzen werden diese Geräte, Epitaxie-Suszeptoren, Pancake- oder Satellitenplattformen für das MOCVD, zunächst der Abscheidungsumgebung ausgesetzt, sodass sie eine hohe Hitze- und Korrosionsbeständigkeit aufweisen. Der SiC-beschichtete PSS-Ätzträger verfügt außerdem über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften.

SiC-beschichtete PSS-Ätzträger (Patterned Sapphire Substrate) werden bei der Herstellung von LED-Geräten (Light Emitting Diode) verwendet. Der PSS-Ätzträger dient als Substrat für das Wachstum eines dünnen Films aus Galliumnitrid (GaN), der die LED-Struktur bildet. Anschließend wird der PSS-Ätzträger mithilfe eines Nassätzverfahrens von der LED-Struktur entfernt, wodurch eine strukturierte Oberfläche zurückbleibt, die die Lichtextraktionseffizienz der LED erhöht.

Parameter des SiC-beschichteten PSS-Ätzträgers

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC-β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickershärte	2500
Körnung	μm	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J kg-1 K-1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegekraft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)	430
Wärmeausdehnung (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300

Merkmale des hochreinen SiC-beschichteten PSS-Ätzträgers

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht weisen eine gute Dichte auf und können in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und Korrosion eine gute Schutzfunktion spielen.

- Der mit Siliziumkarbid beschichtete Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, weist eine sehr hohe Oberflächenebenheit auf.

- Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht und verbessern Sie effektiv die Haftfestigkeit, um Risse und Delaminierung zu verhindern.

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht verfügen über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften.

- Hoher Schmelzpunkt, Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen, Korrosionsbeständigkeit.