SiC-beschichteter PSS-Ätzträger

Waferträger, die beim epixialen Wachstum und bei der Verarbeitung von Wafern verwendet werden, müssen hohen Temperaturen und einer harten chemischen Reinigung standhalten. SiC-beschichteter Semicorex-PSS-Ätzträger, der speziell für diese anspruchsvollen Epitaxiegeräteanwendungen entwickelt wurde. Unsere Produkte haben einen guten Preisvorteil und decken viele der europäischen und amerikanischen Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

Semicorex liefert nicht nur für Dünnschichtabscheidungsphasen wie Epitaxie oder MOCVD oder für die Waferhandhabungsverarbeitung wie Ätzen, sondern auch ultrareine SiC-beschichtete PSS-Ätzträger, die zur Unterstützung von Wafern verwendet werden. Beim Plasmaätzen oder Trockenätzen werden diese Geräte, Epitaxie-Suszeptoren, Pfannkuchen- oder Satellitenplattformen für die MOCVD, zuerst der Abscheidungsumgebung ausgesetzt, sodass sie eine hohe Hitze- und Korrosionsbeständigkeit aufweisen. Der SiC-beschichtete PSS-Ätzträger hat auch eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften.

SiC-beschichtete PSS-Ätzträger (Patterned Sapphire Substrate) werden bei der Herstellung von LED-Vorrichtungen (Light Emitting Diode) verwendet. Der PSS-Ätzträger dient als Substrat für das Wachstum eines dünnen Films aus Galliumnitrid (GaN), der die LED-Struktur bildet. Der PSS-Ätzträger wird dann unter Verwendung eines Nassätzverfahrens von der LED-Struktur entfernt, wodurch eine gemusterte Oberfläche zurückbleibt, die die Lichtextraktionseffizienz der LED verbessert.

Parameter des SiC-beschichteten PSS-Ätzträgers

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickers-Härte	2500
Körnung	Î¼m	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J·kg –1 ·K –1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegefestigkeit	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4pt Biegung, 1300â)	430
Wärmeausdehnung (CTE)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300

Merkmale des hochreinen SiC-beschichteten PSS-Ätzträgers

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine gute Dichte und können eine gute schützende Rolle in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und korrosiven Einflüssen spielen.

- Mit Siliziumkarbid beschichteter Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, hat eine sehr hohe Oberflächenebenheit.

- Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht und verbessern Sie effektiv die Haftfestigkeit, um Risse und Delamination zu verhindern.

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine hohe Wärmeleitfähigkeit und ausgezeichnete Wärmeverteilungseigenschaften.

- Hoher Schmelzpunkt, Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit.