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PSS Handling Carrier für den Wafertransfer

PSS Handling Carrier für den Wafertransfer

Der PSS Handling Carrier für den Wafertransfer von Semicorex wurde für die anspruchsvollsten Epitaxie-Geräteanwendungen entwickelt. Unser hochreiner Graphitträger hält rauen Umgebungen, hohen Temperaturen und aggressiver chemischer Reinigung stand. Der mit SiC beschichtete Träger verfügt über hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften, eine hohe Wärmeleitfähigkeit und ist kostengünstig. Unsere Produkte sind in vielen europäischen und amerikanischen Märkten weit verbreitet und wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

Der PSS Handling Carrier für den Wafer-Transfer von Semicorex wurde entwickelt, um die hohen Temperaturen und die aggressiven chemischen Reinigungsanforderungen für epitaktische Wachstums- und Wafer-Handhabungsprozesse zu erfüllen. Unser hochreiner Graphitträger ist ideal für Dünnschichtabscheidungsphasen wie MOCVD, Epitaxie-Suszeptoren, Pancake- oder Satellitenplattformen und Wafer-Handhabungsprozesse wie Ätzen. Der mit SiC beschichtete Träger verfügt über hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften, eine hohe Wärmeleitfähigkeit und ist kostengünstig.

Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unseren PSS Handling Carrier für den Wafertransfer zu erfahren.


Parameter des PSS-Handhabungsträgers für den Wafertransfer

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur

FCC-β-Phase

Dichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickershärte

2500

Körnung

μm

2~10

Chemische Reinheit

%

99.99995

Wärmekapazität

J kg-1 K-1

640

Sublimationstemperatur

2700

Biegekraft

MPa (RT 4-Punkt)

415

Elastizitätsmodul

Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)

430

Wärmeausdehnung (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Merkmale des PSS Handling Carriers für den Wafertransfer

- Vermeiden Sie ein Abblättern und stellen Sie sicher, dass die Beschichtung auf der gesamten Oberfläche vorhanden ist

Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen: Stabil bei hohen Temperaturen bis 1600 °C

Hohe Reinheit: hergestellt durch CVD-chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.

Korrosionsbeständigkeit: hohe Härte, dichte Oberfläche und feine Partikel.

Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.

- Erzielen Sie das beste laminare Gasströmungsmuster

- Gewährleistung der Gleichmäßigkeit des thermischen Profils

- Verhindern Sie jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen





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