ALN Einkristallwafer

Semicorex Aln Single Crystal Wafer ist ein revolutionärer Fortschritt in der Halbleitertechnologie und bietet eine einzigartige Kombination aus außergewöhnlichen elektrischen, thermischen und mechanischen Eigenschaften. Als Ultra-Wide-Bandgap-Halbleitermaterial mit einem Bandgap von 6,2 eV wird ALN zunehmend als optimales Substrat für Hochleistungs-, Hochfrequenz- und Deep Ultraviolette (UV) -Poptoelektronik-Geräte anerkannt. Diese Eigenschaften positionieren Aln als eine überlegene Alternative zu traditionellen Substraten wie Saphir, Siliziumkarbid (SIC) und Galliumnitrid (GaN), insbesondere bei Anwendungen, die eine extreme thermische Stabilität, eine hohe Abfallspannung und eine überlegene thermische Leitfähigkeit erfordern.

Gegenwärtig ist ALN -Einkristallwafer im Handel in Größen mit einem Durchmesser von bis zu 2 Zoll erhältlich. Im Laufe der Forschungs- und Entwicklungsbemühungen wird erwartet, dass Fortschritte bei Kristallwachstumstechnologien größere Wafergrößen ermöglichen, die Produktionsskalierbarkeit verbessern und die Kosten für industrielle Anwendungen senken.

Ähnlich wie beim SIC -Einzelkristallwachstum können Aln -Einzelkristalle nicht durch die Schmelzmethode gezüchtet werden, können jedoch nur durch den physikalischen Dampftransport (PVT) gezüchtet werden.

Es gibt drei wichtige Wachstumsstrategien für das Wachstum von Aln -Single -Kristall -PVT:

1) Spontanes Keimbildungswachstum

2) Heteroepitaxialwachstum auf 4H-/6H-SIC-Substrat

3) Homoepitaxialwachstum

ALN-Einkristallwafer zeichnet sich durch ihre ultra-weite Bandlücke von 6,2 EV aus, die eine außergewöhnliche elektrische Isolierung und eine beispiellose Tief-UV-Leistung garantiert. Diese Wafer haben ein hoches Elektrofeld mit hohem Auffall, das das von sic und gan übersteigt und sie als optimale Wahl für elektronische Hochleistungsgeräte positioniert. Mit einer beeindruckenden thermischen Leitfähigkeit von ca. 320 W/MK sorgen sie für eine effiziente Wärmeableitung, eine kritische Anforderung für Hochleistungsanwendungen. ALN ist nicht nur chemisch und thermisch stabil, sondern hält auch in extremen Umgebungen die Spitzenleistung. Sein überlegener Strahlungswiderstand macht es zu einer unvergleichlichen Option für Raum- und Kernanwendungen. Darüber hinaus erweisen seine bemerkenswerten piezoelektrischen Eigenschaften, eine hohe Sägegeschwindigkeit und eine starke elektromechanische Kopplung als herausragender Kandidat für Sägegeräte, Filter und Sensoren auf GHZ-Ebene.

ALN Einkristallwafer findet umfangreiche Anwendungen in verschiedenen leistungsstarken elektronischen und optoelektronischen Geräten. Sie dienen als ideales Substrat für Deep Ultraviolet (DUV) -Optoelektronik, einschließlich tiefer UV-LEDs, die im Bereich von 200-280 nm für Sterilisation, Wasserreinigung und biomedizinische Anwendungen sowie UV-Laserdioden (LDS) in fortgeschrittenen Industrie- und medizinischen Feldern betrieben werden. ALN wird auch häufig in elektronischen Geräten mit hoher Leistung und hoher Frequenz verwendet, insbesondere in der Funkfrequenz (RF) und der Mikrowellenkomponenten, bei denen die Streuung mit hoher Abbruchspannung und niedriger Elektronen eine überlegene Leistung bei Leistungsverstärkern und Kommunikationssystemen gewährleisten. Darüber hinaus spielt es eine entscheidende Rolle bei der Leistungselektronik und verbessert die Effizienz von Wechselrichtern und Wandlern in Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energiesystemen und Luft- und Raumfahrtanwendungen. Darüber hinaus machen Alns hervorragende piezoelektrische Eigenschaften und Hochsägengeschwindigkeit ein optimales Material für die Oberflächen -Akustikwelle (SAW) und die BAW -Geräte (Bulk Acoustic Wave), die für Telekommunikations-, Signalverarbeitung und Erfassungstechnologien unerlässlich sind. Aufgrund seiner außergewöhnlichen thermischen Leitfähigkeit ist ALN auch ein Schlüsselmaterial in thermischen Managementlösungen für Hochleistungs-LEDs, Laserdioden und elektronische Module, die eine effektive Wärmeableitung und die Verbesserung der Langlebigkeit der Geräte bieten.

Semicorex -Aln -Einkristallwafer repräsentiert die Zukunft von Halbleitersubstraten und bietet unübertroffene elektrische, thermische und piezoelektrische Eigenschaften. Ihre Anwendungen in der tiefen UV-Optoelektronik, der Stromversorgung und der Akustikwellengeräte machen sie zu einem begehrten Material für die Technologie der nächsten Generation. Da sich die Fabrikfunktionen weiter verbessern, werden Aln-Wafer zu einem unverzichtbaren Bestandteil von Hochleistungs-Halbleiter-Geräten und ebnen den Weg für innovative Fortschritte in mehreren Branchen.