Poröser Sic Chuck

Semicorex Porous SIC Chuck ist ein Keramikteil, der mit Präzision für sichere, effiziente Handhabung von Wafersubstraten für Halbleiteranwendungen durch Prozessschritte wie Inspektion, Test und Lithographie zusammengestellt wurde. Das Laune wird aus mikroporösem Siliziumcarbid-Keramik (SIC) hergestellt. SIC hat eine mechanische Festigkeit, chemische Resistenz und thermische Stabilitätseigenschaften, die für die Herstellung von Halbleiter-Herstellungsumgebungen in der Halbleiter erforderlich sind.

Ein wesentliches Merkmal des porösen sic-Chucks ist seine einzigartige Mikrostruktur, die eine Porosität von 35%-40%aufweist. Mit der Porosität des Chucks dicht kontrolliert, ermöglicht das darüberliegende Design gleichmäßig über das Chuck, das konsistente stabile und nicht kontakte Unterstützung für typisch empfindliche Wafersubstrate erzeugt: Silizium oder GaN und andere zusammengesetzte Halbleiter.  Der Vakuumsaugmodus vermeidet sowohl Partikelkontamination als auch mechanische Schäden, wodurch die Integrität der Wafer während des Prozesses beibehalten wird.

Der Keramikkörper des Chucks ist in erster Linie hochreines SIC mit anderen Keramik wie Aluminiumoxid (Al2O3), die je nach Anwendung möglicherweise für eine begrenzte Anzahl von Funktionsschichten verwendet werden. Die Forschung und Entwicklung des Materials ermöglicht es, dass die Porengröße und -verteilung in Abhängigkeit von den Waffengrößen und den Prozessbedingungen Luftstrom und Haltestraft entwerfen. Wenn es wichtig ist, das Vakuum an dünneren Wafern zu kontrollieren, wird eine kleinere Porengröße integriert. Für schnellere Durchflussraten wird die größere Porengröße verwendet.

Poröse SIC -Chucks weisen aufgrund der variablen Porengrößen, Keramikzusammensetzungen und Schussbedingungen Farbvariationen auf. Die sic-Chucks sind in der Regel schwarz oder dunkelgrau, da die Farbe des Siliziumkarbids entweder grau oder schwarz ist, aber Chucks mit großem Aluminiumoxidgehalt tendenziell nicht weiß. Die Farbvarianzen haben keinen Einfluss auf die Leistung des Produkts und stellen nur die technischen Eigenschaften dar, die für bestimmte Anwendungen erstellt wurden, um den bestimmten Kundenanforderungen zu erfüllen.

In High-End-Waferverarbeitungswerkzeugen sind die thermische Stabilität und die chemische Inertheit die beiden wichtigsten Merkmale. Siliziumkarbid bietet eine hervorragende Beständigkeit gegen Korrosionsgase und thermisches Radfahren. Das poröse SIC -Chuck arbeitet erfolgreich in Vakuumkammern und Plasma -Ätzwerkzeugen und funktioniert weiterhin gut mit sich ändernden Temperaturen. Ihre Fähigkeit, die dimensionale Stabilität des Chucks aufrechtzuerhalten, stellt sicher, dass der Wafer am selben Ort bleibt, obwohl die Genauigkeitsanforderungen unter dem Submicron unter dem Prozess liegen können, der zur dimensionalen Stabilisierung beiträgt, sorgt für die Genauigkeit.

Semikorex poröse sic -Chucks werden unter Verwendung autorisierter Form- und Sinterverfahren durchgeführt, die einheitliche Porosität, hohe Biegefestigkeit und niedrige thermische Expansion bieten. Jeder Chuck wird auf Porenstruktur, Flachheit und Vakuumleistung inspiziert, um ein zuverlässiges und wiederholbares Produkt zu gewährleisten. Benutzerdefinierte Konstruktionen sind auch zur Verfügung, um bestimmte Wafergrößen und Systemintegrationsanforderungen wie die Gasströmungskanäle für die Rückseite oder die Befestigungsmerkmale zu erfüllen.

Zusammenfassend ist das poröse SIC -Chuck ein System mit hoher Zuverlässigkeitsunterstützung, das sorgfältig für die Arbeit in Verbindung mit den Anforderungen für die Verarbeitung von Präzisionswafern entwickelt wurde. Mit einer hohen Vakuumhaltefähigkeit, einer anpassbaren Porenstruktur und einer hervorragenden Materialstabilität ist es ein unverzichtbares Produkt in den heutigen Halbleiterfabriklinien.