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Was ist ein SiC-Wafer vom P-Typ?

Ein Siliziumkarbidwafer (SiC) vom P-Typ ist ein Halbleitersubstrat, das mit Verunreinigungen dotiert ist, um eine (positive) Leitfähigkeit vom P-Typ zu erzeugen. Siliziumkarbid ist ein Halbleitermaterial mit großer Bandlücke, das außergewöhnliche elektrische und thermische Eigenschaften bietet und s......

Warum SiC-beschichtete Graphitsuszeptoren wählen?

Der Graphitsuszeptor ist einer der wesentlichen Bestandteile der MOCVD-Ausrüstung, er dient als Träger und Heizer des Wafersubstrats. Seine Eigenschaften der thermischen Stabilität und thermischen Gleichmäßigkeit spielen eine entscheidende Rolle für die Qualität des Wafer-Epitaxiewachstums, das dire......

Wie läuft die SiC-Epitaxie ab?

Im Hochspannungsbereich, insbesondere bei Hochspannungsgeräten über 20.000 V, steht die SiC-Epitaxietechnologie noch vor mehreren Herausforderungen. Eine der Hauptschwierigkeiten besteht darin, eine hohe Gleichmäßigkeit, Dicke und Dotierungskonzentration in der Epitaxieschicht zu erreichen. Für die ......

Erhebliches Wachstum des Marktes für SiC-beschichtete Graphitsuszeptoren

MOCVD ist die Schlüsselausrüstung

Mittel für Halbleiterprojekte

Jedes Land ist sich der Bedeutung von Chips bewusst und beschleunigt nun den Aufbau eines eigenen Lieferketten-Ökosystems für die Chipherstellung, um ein weiteres Problem der Chipknappheit zu verhindern. Aber die fortschrittlichen Gießereien ohne Chipdesigner der nächsten Generation wären dasselbe w......