Galliumoxid (Ga2O3) hat sich als vielversprechendes Material für verschiedene Anwendungen erwiesen, insbesondere in Leistungsgeräten und Hochfrequenzgeräten (RF). In diesem Artikel untersuchen wir die wichtigsten Chancen und Zielmärkte für Galliumoxid in diesen Bereichen.
WeiterlesenGalliumoxid (Ga2O3) hat als „Halbleitermaterial mit extrem großer Bandlücke“ anhaltende Aufmerksamkeit erregt. Halbleiter mit extrem großer Bandlücke fallen in die Kategorie „Halbleiter der vierten Generation“, und im Vergleich zu Halbleitern der dritten Generation wie Siliziumkarbid (SiC) und Galli......
WeiterlesenBeim Graphitisieren handelt es sich um den Prozess der Umwandlung von nicht-graphitischer Holzkohle in graphitische Holzkohle mit dreidimensionaler, regelmäßig geordneter Graphitstruktur durch Hochtemperatur-Wärmebehandlung, wobei die elektrische Widerstandswärme vollständig genutzt wird, um das Hol......
WeiterlesenDie beschichteten Teile im Halbleiter-Silizium-Einkristall-Heißfeld werden im Allgemeinen durch CVD-Verfahren beschichtet, einschließlich pyrolytischer Kohlenstoffbeschichtung, Siliziumkarbid-Beschichtung und Tantalkarbid-Beschichtung, jeweils mit unterschiedlichen Eigenschaften.
WeiterlesenGraphite Boat steht in seiner Branche an der Spitze der technologischen Innovation und bietet eine Reihe bahnbrechender Fortschritte zur Verbesserung von Leistung, Reinheit und Lebensdauer. Im Folgenden befassen wir uns mit den Kerntechnologien, die die Exzellenz von Graphitbooten ausmachen:
WeiterlesenSiliziumkarbid (SiC) hat sich zu einem Schlüsselmaterial auf dem Gebiet der Halbleitertechnologie entwickelt und bietet außergewöhnliche Eigenschaften, die es für verschiedene elektronische und optoelektronische Anwendungen äußerst wünschenswert machen. Die Herstellung hochwertiger SiC-Einkristalle ......
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