Unter chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) versteht man das Einbringen von zwei oder mehr gasförmigen Rohmaterialien in eine Reaktionskammer unter Vakuum- und Hochtemperaturbedingungen, wo die gasförmigen Rohmaterialien miteinander reagieren und ein neues Material bilden, das auf der Waferoberfläch......
WeiterlesenBis 2027 wird die Photovoltaik (PV) die Kohle als weltweit größte installierte Kapazität überholen. Die kumulierte installierte Leistung von Solar-PV verdreifacht sich unserer Prognose zufolge nahezu, wächst in diesem Zeitraum um fast 1.500 Gigawatt und wird bis 2026 Erdgas und bis 2027 die von Kohl......
WeiterlesenDie Anwendungsbereiche von SiC-basiertem und Si-basiertem GaN sind nicht strikt getrennt. Bei GaN-auf-SiC-Geräten sind die Kosten des SiC-Substrats relativ hoch, und mit der zunehmenden Reife der SiC-Langkristalltechnologie wird erwartet, dass die Kosten des Geräts weiter sinken und es in Leistungsg......
WeiterlesenDie Wärmebehandlung ist einer der wesentlichen und wichtigen Prozesse im Halbleiterprozess. Ein thermischer Prozess ist der Prozess, bei dem Wärmeenergie auf einen Wafer angewendet wird, indem dieser in eine mit einem bestimmten Gas gefüllte Umgebung gebracht wird, einschließlich Oxidation/Diffusion......
WeiterlesenDie kürzlich gemessene Wärmeleitfähigkeit von massivem 3C-SiC ist die zweithöchste unter den großen Kristallen im Zollmaßstab und liegt knapp unter Diamant. Siliziumkarbid (SiC) ist ein Halbleiter mit großer Bandlücke, der häufig in elektronischen Anwendungen verwendet wird und in verschiedenen kris......
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