Nachricht

TSMC: 2-nm-Prozess-Risikotestproduktion im nächsten Jahr

In ihrem neu veröffentlichten Jahresbericht enthüllten TSMC-Vorsitzender Deyin Liu und CEO Chieh-Jia Wei die Fortschritte im Zusammenhang mit dem 2-nm-Prozess.

Anwendungsszenarien für Epitaxieschichten

Wir wissen, dass auf einigen Wafer-Substraten für die Geräteherstellung weitere Epitaxieschichten aufgebaut werden müssen, typischerweise LED-Licht emittierende Geräte, die GaAs-Epitaxieschichten auf Siliziumsubstraten erfordern; SiC-Epitaxieschichten werden auf leitfähigen SiC-Substraten aufgewachs......

Diskussion über einen CVD-Ofen

China blieb der größte Markt für Halbleiterausrüstung

Der weltweite Umsatz mit Halbleiterfertigungsanlagen stieg um 5 Prozent von 102,6 Milliarden US-Dollar im Jahr 2021 auf einen Rekordwert von 107,6 Milliarden US-Dollar im letzten Jahr, so SEMI, der Branchenverband, der die globale Lieferkette für Elektronikdesign und -fertigung vertritt.

CVD-Prozess für die Epitaxie von SiC-Wafern

Der CVD-Prozess für die Epitaxie von SiC-Wafern beinhaltet die Abscheidung von SiC-Filmen auf einem SiC-Substrat mithilfe einer Gasphasenreaktion. Die SiC-Vorläufergase, typischerweise Methyltrichlorsilan (MTS) und Ethylen (C2H4), werden in eine Reaktionskammer eingeleitet, in der das SiC-Substrat u......

Japan hat kürzlich den Export von 23 Arten von Halbleiterfertigungsanlagen eingeschränkt

Japan hat kürzlich den Export von 23 Arten von Halbleiterfertigungsanlagen eingeschränkt. Die Ankündigung hat in der gesamten Branche für Aufsehen gesorgt, da erwartet wird, dass der Schritt erhebliche Auswirkungen auf die globalen Lieferketten für die Halbleiterfertigung haben wird.