Siliziumkarbid (SiC) ist ein Material, das eine hohe Bindungsenergie besitzt, ähnlich wie andere harte Materialien wie Diamant und kubisches Bornitrid. Allerdings erschwert die hohe Bindungsenergie von SiC die direkte Kristallisation zu Barren mit herkömmlichen Schmelzmethoden. Daher beinhaltet der ......
WeiterlesenDie Siliziumkarbid-Industrie umfasst eine Kette von Prozessen, die die Substraterstellung, das epitaktische Wachstum, das Gerätedesign, die Geräteherstellung, die Verpackung und das Testen umfasst. Im Allgemeinen wird Siliziumkarbid in Form von Barren hergestellt, die dann in Scheiben geschnitten, g......
WeiterlesenHalbleitermaterialien lassen sich entsprechend der zeitlichen Abfolge in drei Generationen einteilen. Die erste Generation von Germanium, Silizium und anderen gängigen Monomaterialien, die sich durch bequemes Schalten auszeichnet, wird im Allgemeinen in integrierten Schaltkreisen verwendet. Die zwei......
WeiterlesenSiliziumkarbid (SiC) findet aufgrund seiner hervorragenden physikalisch-chemischen Eigenschaften wichtige Anwendungen in Bereichen wie der Leistungselektronik, Hochfrequenz-HF-Geräten und Sensoren für hochtemperaturbeständige Umgebungen. Der Schneidvorgang während der SiC-Wafer-Bearbeitung führt jed......
WeiterlesenDerzeit werden mehrere Materialien untersucht, von denen Siliziumkarbid als eines der vielversprechendsten gilt. Ähnlich wie GaN zeichnet es sich im Vergleich zu Silizium durch höhere Betriebsspannungen, höhere Durchbruchspannungen und eine bessere Leitfähigkeit aus. Darüber hinaus kann Siliziumkarb......
WeiterlesenWährend die Welt nach neuen Möglichkeiten im Halbleiterbereich sucht, gilt Galliumnitrid weiterhin als potenzieller Kandidat für zukünftige Energie- und HF-Anwendungen. Doch trotz all der Vorteile, die es bietet, steht es immer noch vor einer großen Herausforderung; Es gibt keine P-Typ-Produkte (P-T......
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