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Siliziumkarbid-Anwendungen

Siliziumkarbid findet zahlreiche Anwendungen in aufstrebenden und traditionellen Industrien. Derzeit hat der globale Halbleitermarkt 100 Milliarden Yuan überschritten. Es wird erwartet, dass der weltweite Umsatz mit Halbleiterfertigungsmaterialien bis 2025 39,5 Milliarden US-Dollar erreichen wird, w......

Was ist ein SiC-Boot und welche verschiedenen Herstellungsprozesse gibt es?

Ein SiC-Boot, kurz für Siliziumkarbid-Boot, ist ein hochtemperaturbeständiges Zubehörteil, das in Ofenrohren zum Transport von Wafern während der Hochtemperaturverarbeitung verwendet wird. Aufgrund der herausragenden Eigenschaften von Siliziumkarbid wie Beständigkeit gegenüber hohen Temperaturen, ch......

Einführung in den Siliziumkarbid-Ionenimplantations- und Temperprozess

Bei der herkömmlichen Herstellung von Silizium-Leistungsbauelementen sind Hochtemperaturdiffusion und Ionenimplantation die wichtigsten Methoden zur Dotierstoffkontrolle, jede mit ihren Vor- und Nachteilen. Typischerweise zeichnet sich die Hochtemperaturdiffusion durch ihre Einfachheit, Kosteneffizi......

Verfahren zur Herstellung von SiC-Pulver

Siliziumkarbid (SiC) ist ein anorganischer Stoff. Die Menge an natürlich vorkommendem Siliziumkarbid ist sehr gering. Es ist ein seltenes Mineral und wird Moissanit genannt. Siliziumkarbid, das in der industriellen Produktion verwendet wird, wird größtenteils künstlich synthetisiert.

Epitaxieschichten: Die Grundlage fortschrittlicher Halbleiterbauelemente

In der Halbleiterindustrie spielen Epitaxieschichten eine entscheidende Rolle, indem sie auf einem Wafersubstrat spezifische einkristalline Dünnfilme bilden, die zusammenfassend als Epitaxiewafer bezeichnet werden. Insbesondere epitaktische Schichten aus Siliziumkarbid (SiC), die auf leitfähigen SiC......

Poröser Graphit für das SiC-Kristallwachstum

Derzeit verwenden die meisten SiC-Substrathersteller ein neues Tiegel-Thermofeld-Prozessdesign mit porösen Graphitzylindern: Sie platzieren hochreine SiC-Partikel-Rohmaterialien zwischen der Graphittiegelwand und dem porösen Graphitzylinder, während der gesamte Tiegel vertieft und der Tiegeldurchmes......

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