Nachrichten - Semicorex Advanced Material Technology Co., Ltd

Trockenätzen vs. Nassätzen

Bei der Halbleiterfertigung ist das Ätzen neben der Fotolithographie und der Dünnschichtabscheidung einer der Hauptschritte. Dabei werden unerwünschte Materialien mithilfe chemischer oder physikalischer Methoden von der Oberfläche eines Wafers entfernt. Dieser Schritt wird nach der Beschichtung, Fot......

Versetzung in SiC-Kristallen

SiC-Substrat kann mikroskopische Defekte aufweisen, wie z. B. Threading Screw Dislocation (TSD), Threading Edge Dislocation (TED), Base Plane Dislocation (BPD) und andere. Diese Defekte werden durch Abweichungen in der Anordnung der Atome auf atomarer Ebene verursacht.

Über Defekte in SiC-Kristallen – Micropipe

SiC-Substrat kann mikroskopische Defekte aufweisen, wie z. B. Threading Screw Dislocation (TSD), Threading Edge Dislocation (TED), Base Plane Dislocation (BPD) und andere. Diese Defekte werden durch Abweichungen in der Anordnung der Atome auf atomarer Ebene verursacht. SiC-Kristalle können auch makr......

Warum sollten Sie sich für die Flüssigphasenepitaxie-Methode entscheiden?

Im Vergleich zur PVT-Methode bietet die Flüssigphasenmethode zum Züchten von SiC folgende Vorteile:

Was ist Flüssigphasenepitaxie?

Die Flüssigphasenmethode liegt näher an den thermodynamischen Gleichgewichtsbedingungen und ist in der Lage, SiC-Kristalle mit besserer Qualität zu züchten.

TaC-Beschichtung

Den Forschungsergebnissen zufolge kann die TaC-Beschichtung als Schutz- und Isolationsschicht fungieren, um die Lebensdauer von Graphitkomponenten zu verlängern, die radiale Temperaturgleichmäßigkeit zu verbessern, die SiC-Sublimationsstöchiometrie aufrechtzuerhalten, die Migration von Verunreinigun......