> Nachricht

Nachricht

Silizium-Epitaxieschichten und -substrate in der Halbleiterfertigung

In den Bereichen der modernen Elektronik, Optoelektronik, Mikroelektronik und Informationstechnologie sind Halbleitersubstrate und Epitaxietechnologien unverzichtbar. Sie bieten eine solide Grundlage für die Herstellung leistungsstarker und äußerst zuverlässiger Halbleiterbauelemente. Während die Te......

Vorteile von SiC in der Elektrofahrzeugindustrie

Als Halbleitermaterial mit großer Bandlücke (WBG) verfügt SiC aufgrund seiner größeren Energiedifferenz über bessere thermische und elektronische Eigenschaften im Vergleich zu herkömmlichem Si. Diese Funktion ermöglicht den Betrieb von Leistungsgeräten bei höheren Temperaturen, Frequenzen und Spannu......

Dopingkontrolle beim Sublimations-SiC-Wachstum

Siliziumkarbid (SiC) spielt aufgrund seiner hervorragenden elektrischen und thermischen Eigenschaften eine wichtige Rolle bei der Herstellung von Leistungselektronik und Hochfrequenzgeräten. Die Qualität und der Dotierungsgrad von SiC-Kristallen wirken sich direkt auf die Leistung des Geräts aus. Da......

Die Bedeutung poröser Graphitmaterialien für das SiC-Kristallwachstum

Die SiC-Kristallwachstumsofenkomponente von Semicorex, die poröse Graphittrommel, bringt drei große Vorteile mit sich und kann die Wettbewerbsfähigkeit heimischer SiC-Substrate wirksam stärken:

MOCVD kennen

MOCVD ist eine neue Dampfphasen-Epitaxie-Wachstumstechnologie, die auf der Grundlage des Dampfphasen-Epitaxie-Wachstums (VPE) entwickelt wurde.

Anwendungen von TaC-beschichteten Graphitkomponenten

Bei der Züchtung von SiC- und AlN-Einkristallen mithilfe der physikalischen Dampftransportmethode (PVT) spielen Komponenten wie der Tiegel, der Impfkristallhalter und der Führungsring eine entscheidende Rolle. Während des Herstellungsprozesses von SiC befindet sich der Impfkristall in einem relativ ......

<...23 24 25 26 27...37 >