Poröser Graphit für das SiC-Kristallwachstum

Derzeit verwenden die meisten SiC-Substrathersteller ein neues Tiegel-Thermofeld-Prozessdesign mit porösen Graphitzylindern: Sie platzieren hochreine SiC-Partikel-Rohmaterialien zwischen der Graphittiegelwand und dem porösen Graphitzylinder, während der gesamte Tiegel vertieft und der Tiegeldurchmesser vergrößert wird. Der Vorteil besteht darin, dass mit zunehmendem Beschickungsvolumen auch die Verdampfungsfläche der Rohstoffe vergrößert wird. Das neue Verfahren löst das Problem der Kristalldefekte, die durch die Rekristallisation des oberen Teils des Rohmaterials bei fortschreitendem Wachstum auf der Oberfläche des Ausgangsmaterials entstehen und den Materialfluss der Sublimation beeinträchtigen. Das neue Verfahren verringert außerdem die Empfindlichkeit der Temperaturverteilung im Rohstoffbereich gegenüber dem Kristallwachstum, verbessert und stabilisiert die Stoffübertragungseffizienz, verringert den Einfluss von Kohlenstoffeinschlüssen in späteren Wachstumsstadien und verbessert die Qualität von SiC-Kristallen weiter. Das neue Verfahren nutzt außerdem eine keimlose Kristallträgerfixierungsmethode, die nicht am Impfkristall klebt, eine freie Wärmeausdehnung ermöglicht und den Spannungsabbau begünstigt. Dieses neue Verfahren optimiert das Wärmefeld und verbessert die Effizienz der Durchmessererweiterung erheblich.

Die Qualität und Ausbeute der mit diesem neuen Verfahren erhaltenen SiC-Einkristalle hängt stark von den physikalischen Eigenschaften von Tiegelgraphit und porösem Graphit ab. Die dringende Nachfrage nach porösem Hochleistungsgraphit macht porösen Graphit nicht nur extrem teuer, sondern führt auch zu einer ernsthaften Verknappung auf dem Markt.

Grundlegende Leistungsanforderungen vonporöser Graphit

(1) Angemessene Porengrößenverteilung;

(2) ausreichend hohe Porosität;

(3) Mechanische Festigkeit, die den Verarbeitungs- und Verwendungsanforderungen entspricht.

Semicorex bietet hohe Qualitätporöser GraphitTeile. Wenn Sie Fragen haben oder zusätzliche Informationen benötigen, zögern Sie bitte nicht, mit uns Kontakt aufzunehmen.

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