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Einführung in Halbleiter der dritten Generation: GaN und verwandte Epitaxietechnologien

GaN-Materialien erlangten nach der Verleihung des Nobelpreises für Physik 2014 für blaue LEDs an Bedeutung. GaN-basierte Leistungsverstärker und HF-Geräte gelangten zunächst durch Schnellladeanwendungen in der Unterhaltungselektronik in den Fokus der Öffentlichkeit, haben sich aber in aller Stille a......

Substrat vs. Epitaxie: Schlüsselrollen in der Halbleiterfertigung

Im Bereich der Halbleitertechnik und Mikroelektronik sind die Konzepte Substrate und Epitaxie von großer Bedeutung. Sie spielen eine entscheidende Rolle im Herstellungsprozess von Halbleiterbauelementen. Dieser Artikel befasst sich mit den Unterschieden zwischen Halbleitersubstraten und Epitaxie un......

Hauptschritte bei der SiC-Substratverarbeitung

Die Verarbeitung von 4H-SiC-Substrat umfasst hauptsächlich die folgenden Schritte:

Schlüsselparameter von Siliziumkarbid (SiC)-Substraten

Der Produktionsprozess von Siliziumkarbid (SiC) umfasst die Vorbereitung des Substrats und die Epitaxie auf der Materialseite, gefolgt von Chip-Design und -Herstellung, Geräteverpackung und schließlich dem Vertrieb an nachgelagerte Anwendungsmärkte. Unter diesen Phasen ist die Verarbeitung des Subst......

Kristallwachstumsofen für Siliziumkarbid (SiC).

Das Kristallwachstum ist das zentrale Glied bei der Herstellung von Siliziumkarbid-Substraten, und die Kernausrüstung ist der Kristallwachstumsofen. Ähnlich wie bei herkömmlichen Kristallwachstumsöfen für kristallines Silizium ist die Ofenstruktur nicht sehr komplex und besteht hauptsächlich aus ein......

Anwendungs- und Entwicklungsherausforderungen von TaC-beschichteten Graphitkomponenten

Die Halbleitermaterialien mit großer Bandlücke der dritten Generation wie Galliumnitrid (GaN) und Siliziumkarbid (SiC) sind für ihre außergewöhnlichen optoelektronischen Umwandlungs- und Mikrowellensignalübertragungsfähigkeiten bekannt. Diese Materialien erfüllen die anspruchsvollen Anforderungen vo......

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