GaN kennen

In jüngster Zeit hat die Halbleiterindustrie diesem Thema immer mehr Aufmerksamkeit geschenktGalliumnitrid (GaN)Technologie. Aufgrund seiner hervorragenden elektronischen Eigenschaften finden Galliumnitrid-Geräte wichtige Anwendungen in vielen High-Tech-Bereichen:

1. Optoelektronischer Bereich:Galliumnitridist ein Schlüsselmaterial für die Herstellung optoelektronischer Geräte wie LED-Beleuchtung und Laser.

2. Hochfrequenzbereich: In der 5G-KommunikationstechnologieGalliumnitridist aufgrund seiner Hochfrequenz- und Leistungsdichteeigenschaften zu einer Kernkomponente geworden.

3. Leistungselektronik:GalliumnitridLeistungsgeräte verbessern die Ladeeffizienz und reduzieren die Größe des Ladegeräts bei der Schnellladetechnologie. Sie werden auch häufig in der Photovoltaik, in Rechenzentren, bei Elektrofahrzeugen und in anderen Bereichen eingesetzt.

Die Wahl des Substrats für aGaNGerät hat einen erheblichen Einfluss auf seine Leistung und Kosten:

1. Saphir: Aufgrund seines ausgereiften Herstellungsprozesses bietet Saphirsubstrat eine kostengünstige Lösung, insbesondere im Bereich der LED-Beleuchtung.

2. Siliziumkarbid (SiC): Obwohl teurer, bieten SiC-Substrate eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit und eignen sich für Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen.

3. Silizium (Si): Siliziumbasierte Substrate sind kostengünstig und mit bestehenden Halbleiterfertigungsprozessen kompatibel, sodass sie für die Massenproduktion geeignet sind.

4. Homogenes Galliumnitrid (GaN-auf-GaN): Theoretisch ist es die idealste Wahl, aber aus technischen und kostentechnischen Gründen wurde es noch nicht in großem Umfang kommerzialisiert.