ICP-Ätzwaferhalter

Der ICP-Ätzwaferhalter von Semicorex ist die perfekte Lösung für Hochtemperatur-Waferhandhabungsprozesse wie Epitaxie und MOCVD. Mit einer stabilen Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit von bis zu 1600 °C sorgen unsere Träger für gleichmäßige thermische Profile und laminare Gasströmungsmuster und verhindern die Diffusion von Verunreinigungen oder Verunreinigungen.

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Produktbeschreibung

Suchen Sie einen zuverlässigen Lieferanten von Waferträgern für Ihre Epitaxieausrüstung? Dann sind Sie bei Semicorex genau richtig. Unser ICP-Ätzwaferhalter wurde speziell für Umgebungen mit hohen Temperaturen und aggressiver chemischer Reinigung entwickelt. Mit einer feinen SiC-Kristallbeschichtung bieten unsere Träger eine hervorragende Hitzebeständigkeit, gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit und dauerhafte chemische Beständigkeit.
Unser ICP-Ätzwaferhalter ist darauf ausgelegt, das beste laminare Gasströmungsmuster zu erzielen und ein gleichmäßiges thermisches Profil sicherzustellen. Dies trägt dazu bei, jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen zu verhindern und sorgt für ein qualitativ hochwertiges epitaktisches Wachstum auf dem Wafer-Chip.
Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unseren ICP Etching Wafer Holder zu erfahren.

Parameter des ICP-Ätzwaferhalters

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC-β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickershärte	2500
Körnung	μm	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J kg-1 K-1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegekraft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)	430
Wärmeausdehnung (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300