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Halter für ICP-Ätzwafer

Halter für ICP-Ätzwafer

Der ICP-Ätzwaferhalter von Semicorex ist die perfekte Lösung für Hochtemperatur-Waferhandhabungsprozesse wie Epitaxie und MOCVD. Mit einer stabilen Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit von bis zu 1600 °C gewährleisten unsere Träger gleichmäßige thermische Profile, laminare Gasströmungsmuster und verhindern die Diffusion von Verunreinigungen oder Verunreinigungen.

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Produktbeschreibung

Suchen Sie einen zuverlässigen Lieferanten von Waferträgern für Ihre Epitaxieausrüstung? Suchen Sie nicht weiter als Semicorex. Unser ICP-Ätzwaferhalter wurde speziell für Umgebungen mit hoher Temperatur und aggressiven chemischen Reinigungsvorgängen entwickelt. Mit einer feinen SiC-Kristallbeschichtung bieten unsere Träger eine hervorragende Hitzebeständigkeit, gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit und dauerhafte chemische Beständigkeit.
Unser ICP-Ätzwaferhalter wurde entwickelt, um das beste laminare Gasströmungsmuster zu erzielen und ein gleichmäßiges thermisches Profil zu gewährleisten. Dies trägt dazu bei, jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen zu verhindern, wodurch ein qualitativ hochwertiges epitaxiales Wachstum auf dem Waferchip sichergestellt wird.
Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unseren ICP Etching Wafer Holder zu erfahren.


Parameter des ICP-Ätzwaferhalters

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur

FCC β-Phase

Dichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickers-Härte

2500

Körnung

μm

2~10

Chemische Reinheit

%

99.99995

Wärmekapazität

J·kg –1 ·K –1

640

Sublimationstemperatur

2700

Biegefestigkeit

MPa (RT 4-Punkt)

415

Elastizitätsmodul

Gpa (4pt Bend, 1300â)

430

Wärmeausdehnung (CTE)

10-6K-1

4.5

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Merkmale des ICP-Ätzwaferhalters

- Vermeiden Sie ein Ablösen und stellen Sie sicher, dass alle Oberflächen beschichtet sind

Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit: Stabil bei hohen Temperaturen bis zu 1600 °C

Hohe Reinheit: Hergestellt durch CVD-CVD unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.

Korrosionsbeständigkeit: hohe Härte, dichte Oberfläche und feine Partikel.

Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.

- Erzielen Sie das beste laminare Gasströmungsmuster

- Gewährleistung der Gleichmäßigkeit des thermischen Profils

- Verhindern Sie jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen





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