Waferträger mit SiC-Beschichtung

Die Semicorex-Waferträger mit SiC-Beschichtung, ein integraler Bestandteil des epitaktischen Wachstumssystems, zeichnen sich durch ihre außergewöhnliche Reinheit, Beständigkeit gegenüber extremen Temperaturen und robusten Dichtungseigenschaften aus und dienen als Ablage, die für die Unterstützung und Erwärmung von Halbleiterwafern während des Wachstums unerlässlich ist kritische Phase der Epitaxieschichtabscheidung und optimiert so die Gesamtleistung des MOCVD-Prozesses. Wir bei Semicorex widmen uns der Herstellung und Lieferung leistungsstarker Waferträger mit SiC-Beschichtung, die Qualität mit Kosteneffizienz verbinden.

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Produktbeschreibung

Die Semicorex-Waferträger mit SiC-Beschichtung weisen eine hervorragende thermische Stabilität und Leitfähigkeit auf, die für die Aufrechterhaltung konstanter Temperaturen bei chemischen Gasphasenabscheidungsprozessen (CVD) unerlässlich sind. Dies gewährleistet eine gleichmäßige Wärmeverteilung über das Substrat, was für die Erzielung hochwertiger Dünnschicht- und Beschichtungseigenschaften von entscheidender Bedeutung ist.

Die Waferträger mit SiC-Beschichtung werden nach strengen Standards hergestellt und gewährleisten eine gleichmäßige Dicke und Oberflächenglätte. Diese Präzision ist entscheidend für die Erzielung konsistenter Abscheidungsraten und Filmeigenschaften über mehrere Wafer hinweg.

Die SiC-Beschichtung fungiert als undurchlässige Barriere und verhindert die Diffusion von Verunreinigungen vom Suszeptor in den Wafer. Dadurch wird das Kontaminationsrisiko minimiert, was für die Herstellung hochreiner Halbleiterbauelemente von entscheidender Bedeutung ist. Die Haltbarkeit der Semicorex-Waferträger mit SiC-Beschichtung reduziert die Häufigkeit des Suszeptoraustauschs, was zu geringeren Wartungskosten und minimierten Ausfallzeiten in der Halbleiterfertigung führt.

Die Semicorex-Waferträger mit SiC-Beschichtung können an spezifische Prozessanforderungen angepasst werden, einschließlich Variationen in Größe, Form und Beschichtungsdicke. Diese Flexibilität ermöglicht die Optimierung des Suszeptors, um den besonderen Anforderungen verschiedener Halbleiterfertigungsprozesse gerecht zu werden. Anpassungsoptionen ermöglichen die Entwicklung von Suszeptordesigns, die auf spezielle Anwendungen zugeschnitten sind, wie z. B. die Massenfertigung oder Forschung und Entwicklung, und so eine optimale Leistung für bestimmte Anwendungsfälle gewährleisten.