Graphitsuszeptor mit Siliziumkarbidbeschichtung für MOCVD

Unser mit Siliziumkarbid beschichteter Graphit-Suszeptor für MOCVD verfügt über mehrere Hauptmerkmale, die ihn von der Konkurrenz abheben. Es gewährleistet eine Beschichtung auf der gesamten Oberfläche, verhindert ein Abblättern und verfügt über eine Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen, die Stabilität auch bei hohen Temperaturen von bis zu 1600 °C gewährleistet. Das Produkt wird mit hoher Reinheit durch CVD-chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen hergestellt. Es verfügt über eine dichte Oberfläche mit feinen Partikeln und ist daher äußerst beständig gegen Korrosion durch Säuren, Laugen, Salze und organische Reagenzien.
Unser mit Siliziumkarbid beschichteter Graphit-Suszeptor für MOCVD ist darauf ausgelegt, das beste laminare Gasströmungsmuster zu erzielen und ein gleichmäßiges thermisches Profil sicherzustellen. Es verhindert die Diffusion von Verunreinigungen oder Verunreinigungen und gewährleistet so ein qualitativ hochwertiges epitaktisches Wachstum auf dem Wafer-Chip.

Parameter des mit Siliziumkarbid beschichteten Graphitsuszeptors für MOCVD

Merkmale des mit Siliziumkarbid beschichteten Graphitsuszeptors für MOCVD

- Vermeiden Sie ein Abblättern und stellen Sie sicher, dass die Beschichtung auf der gesamten Oberfläche vorhanden ist
Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen: Stabil bei hohen Temperaturen bis zu 1600 °C
Hohe Reinheit: hergestellt durch CVD-chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.
Korrosionsbeständigkeit: hohe Härte, dichte Oberfläche und feine Partikel.
Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.
- Erzielen Sie das beste laminare Gasströmungsmuster
- Gewährleistung der Gleichmäßigkeit des thermischen Profils
- Verhindern Sie jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen