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Siliziumkarbid-beschichteter Graphit-Suszeptor für MOCVD

Siliziumkarbid-beschichteter Graphit-Suszeptor für MOCVD

Semicorex ist ein vertrauenswürdiger Lieferant und Hersteller von Siliziumkarbid-beschichteten Graphit-Suszeptoren für MOCVD. Unser Produkt wurde speziell entwickelt, um den Anforderungen der Halbleiterindustrie beim Aufwachsen der Epitaxieschicht auf dem Waferchip gerecht zu werden. Das Produkt wird als Mittelplatte in MOCVD mit einem zahnrad- oder ringförmigen Design verwendet. Es hat eine hohe Hitze- und Korrosionsbeständigkeit und ist daher ideal für den Einsatz in extremen Umgebungen.

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Produktbeschreibung

Unser Siliziumkarbid-beschichteter Graphit-Suszeptor für MOCVD hat mehrere Hauptmerkmale, die ihn von der Konkurrenz abheben. Es gewährleistet eine Beschichtung auf allen Oberflächen, verhindert ein Ablösen und ist hochtemperaturoxidationsbeständig, wodurch Stabilität auch bei hohen Temperaturen von bis zu 1600 °C gewährleistet ist. Das Produkt wird mit hoher Reinheit durch chemische CVD-Dampfabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen hergestellt. Es hat eine dichte Oberfläche mit feinen Partikeln, wodurch es sehr widerstandsfähig gegen Korrosion durch Säuren, Laugen, Salz und organische Reagenzien ist.
Unser Graphit-Suszeptor mit Siliziumkarbidbeschichtung für MOCVD wurde entwickelt, um das beste laminare Gasströmungsmuster zu erzielen und ein gleichmäßiges thermisches Profil zu gewährleisten. Es verhindert jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen und gewährleistet ein hochwertiges epitaktisches Wachstum auf dem Wafer-Chip.


Parameter des Siliciumcarbid-beschichteten Graphit-Suszeptors für MOCVD

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur

FCC β-Phase

Dichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickers-Härte

2500

Körnung

μm

2~10

Chemische Reinheit

%

99.99995

Wärmekapazität

J·kg –1 ·K –1

640

Sublimationstemperatur

2700

Biegefestigkeit

MPa (RT 4-Punkt)

415

Elastizitätsmodul

Gpa (4pt Biegung, 1300â)

430

Wärmeausdehnung (CTE)

10-6K-1

4.5

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Merkmale des Graphit-Suszeptors mit Siliziumkarbidbeschichtung für MOCVD

- Ablösen vermeiden und Beschichtung auf allen Oberflächen sicherstellen
Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit: Stabil bei hohen Temperaturen bis zu 1600 °C
Hohe Reinheit: Hergestellt durch CVD-CVD unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.
Korrosionsbeständigkeit: hohe Härte, dichte Oberfläche und feine Partikel.
Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.
- Erzielen Sie das beste laminare Gasströmungsmuster
- Gewährleistung der Gleichmäßigkeit des thermischen Profils
- Verhindern Sie jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen




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