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MOCVD-Abdeckung Sternscheibenplatte für die Wafer-Epitaxie

MOCVD-Abdeckung Sternscheibenplatte für die Wafer-Epitaxie

Semicorex ist ein renommierter Hersteller und Lieferant von hochwertigen MOCVD-Abdeckungs-Sternscheibenplatten für die Wafer-Epitaxie. Unser Produkt ist speziell auf die Bedürfnisse der Halbleiterindustrie ausgelegt, insbesondere beim Aufwachsen der Epitaxieschicht auf dem Wafer-Chip. Unser Suszeptor wird als Mittelplatte in MOCVD verwendet, mit einem zahnrad- oder ringförmigen Design. Das Produkt ist hochgradig hitze- und korrosionsbeständig und somit ideal für den Einsatz in extremen Umgebungen.

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Produktbeschreibung

Unsere MOCVD-Cover Star Disc Plate für die Wafer-Epitaxie ist ein hervorragendes Produkt, das eine Beschichtung auf allen Oberflächen gewährleistet und so ein Ablösen verhindert. Es verfügt über eine Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit, die auch bei hohen Temperaturen von bis zu 1600 °C Stabilität gewährleistet. Das Produkt wird mit hoher Reinheit durch chemische CVD-Dampfabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen hergestellt. Es hat eine dichte Oberfläche mit feinen Partikeln, wodurch es sehr widerstandsfähig gegen Korrosion durch Säuren, Laugen, Salz und organische Reagenzien ist.
Unsere MOCVD-Abdeckungs-Sternscheibenplatte für die Wafer-Epitaxie garantiert das beste laminare Gasströmungsmuster und gewährleistet die Gleichmäßigkeit des thermischen Profils. Es verhindert jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen und gewährleistet ein hochwertiges epitaktisches Wachstum auf dem Wafer-Chip. Unser Produkt ist preisgünstig und damit für viele Kunden zugänglich. Wir decken viele der europäischen und amerikanischen Märkte ab und unser Team ist bestrebt, exzellenten Kundenservice und Support zu bieten. Wir sind bestrebt, Ihr langfristiger Partner bei der Bereitstellung hochwertiger und zuverlässiger MOCVD-Abdeckungs-Sternscheibenplatten für die Wafer-Epitaxie zu werden.


Parameter der MOCVD-Cover-Star-Disc-Platte für die Wafer-Epitaxie

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur

FCC β-Phase

Dichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickers-Härte

2500

Körnung

μm

2~10

Chemische Reinheit

%

99.99995

Wärmekapazität

J·kg –1 ·K –1

640

Sublimationstemperatur

2700

Biegefestigkeit

MPa (RT 4-Punkt)

415

Elastizitätsmodul

Gpa (4pt Biegung, 1300â)

430

Wärmeausdehnung (CTE)

10-6K-1

4.5

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Merkmale der MOCVD-Abdeckungssternscheibenplatte für die Wafer-Epitaxie

- Vermeiden Sie ein Ablösen und stellen Sie sicher, dass alle Oberflächen beschichtet sind
Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit: Stabil bei hohen Temperaturen bis zu 1600 °C
Hohe Reinheit: Hergestellt durch CVD-CVD unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.
Korrosionsbeständigkeit: hohe Härte, dichte Oberfläche und feine Partikel.
Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.
- Erzielen Sie das beste laminare Gasströmungsmuster
- Gewährleistung der Gleichmäßigkeit des thermischen Profils
- Verhindern Sie jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen




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