MOCVD-Suszeptor für epitaktisches Wachstum

Semicorex ist ein führender Lieferant und Hersteller von MOCVD-Suszeptoren für epitaktisches Wachstum. Unser Produkt wird häufig in der Halbleiterindustrie eingesetzt, insbesondere beim Wachstum der Epitaxieschicht auf dem Wafer-Chip. Unser Suszeptor ist für den Einsatz als Mittelplatte bei MOCVD konzipiert und verfügt über ein zahnrad- oder ringförmiges Design. Das Produkt weist eine hohe Hitze- und Korrosionsbeständigkeit auf und ist daher auch in extremen Umgebungen stabil.

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Produktbeschreibung

Einer der Vorteile unseres MOCVD-Suszeptors für epitaktisches Wachstum ist seine Fähigkeit, eine Beschichtung auf allen Oberflächen zu gewährleisten und ein Abblättern zu verhindern. Das Produkt verfügt über eine Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit, die eine Stabilität bei hohen Temperaturen bis zu 1600 °C gewährleistet. Die hohe Reinheit unseres Produkts wird durch CVD-chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen erreicht. Die dichte Oberfläche mit feinen Partikeln sorgt dafür, dass das Produkt äußerst beständig gegen Korrosion durch Säuren, Laugen, Salze und organische Reagenzien ist.
Unser MOCVD-Suszeptor für epitaktisches Wachstum ist darauf ausgelegt, das beste laminare Gasströmungsmuster zu erzielen und ein gleichmäßiges thermisches Profil sicherzustellen. Dies trägt dazu bei, jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen zu verhindern und sorgt für ein qualitativ hochwertiges epitaktisches Wachstum auf dem Wafer-Chip.
Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unseren MOCVD-Suszeptor für epitaktisches Wachstum zu erfahren.

Parameter des MOCVD-Suszeptors für epitaktisches Wachstum

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC-β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickershärte	2500
Körnung	μm	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J kg-1 K-1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegekraft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)	430
Wärmeausdehnung (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300

Merkmale des MOCVD-Suszeptors für epitaktisches Wachstum

- Vermeiden Sie ein Abblättern und stellen Sie sicher, dass die Beschichtung auf der gesamten Oberfläche vorhanden ist
Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen: Stabil bei hohen Temperaturen bis 1600 °C
Hohe Reinheit: hergestellt durch CVD-chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.
Korrosionsbeständigkeit: hohe Härte, dichte Oberfläche und feine Partikel.
Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.
- Erzielen Sie das beste laminare Gasströmungsmuster
- Gewährleistung der Gleichmäßigkeit des thermischen Profils
- Verhindern Sie jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen

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