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MOCVD-Suszeptor für epitaxiales Wachstum

MOCVD-Suszeptor für epitaxiales Wachstum

Semicorex ist ein führender Anbieter und Hersteller von MOCVD-Suszeptoren für epitaxiales Wachstum. Unser Produkt ist in der Halbleiterindustrie weit verbreitet, insbesondere beim Wachstum der Epitaxieschicht auf dem Wafer-Chip. Unser Suszeptor ist für die Verwendung als Mittelplatte in MOCVD mit einem zahnrad- oder ringförmigen Design ausgelegt. Das Produkt hat eine hohe Hitze- und Korrosionsbeständigkeit, wodurch es in extremen Umgebungen stabil ist.

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Produktbeschreibung

Einer der Vorteile unseres MOCVD-Suszeptors für epitaxiales Wachstum ist seine Fähigkeit, eine Beschichtung auf allen Oberflächen sicherzustellen und ein Ablösen zu vermeiden. Das Produkt hat eine Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit, die eine Stabilität bei hohen Temperaturen bis zu 1600 °C gewährleistet. Die hohe Reinheit unseres Produkts wird durch chemische CVD-Dampfabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen erreicht. Die dichte Oberfläche mit feinen Partikeln sorgt dafür, dass das Produkt sehr widerstandsfähig gegen Korrosion durch Säuren, Laugen, Salz und organische Reagenzien ist.
Unser MOCVD-Suszeptor für epitaxiales Wachstum wurde entwickelt, um das beste laminare Gasströmungsmuster zu erzielen und ein gleichmäßiges thermisches Profil zu gewährleisten. Dies trägt dazu bei, jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen zu verhindern, wodurch ein qualitativ hochwertiges epitaxiales Wachstum auf dem Waferchip sichergestellt wird.
Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unseren MOCVD-Suszeptor für epitaxiales Wachstum zu erfahren.


Parameter des MOCVD-Suszeptors für epitaxiales Wachstum

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur

FCC β-Phase

Dichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickers-Härte

2500

Körnung

μm

2~10

Chemische Reinheit

%

99.99995

Wärmekapazität

J·kg –1 ·K –1

640

Sublimationstemperatur

2700

Biegefestigkeit

MPa (RT 4-Punkt)

415

Elastizitätsmodul

Gpa (4pt Biegung, 1300â)

430

Wärmeausdehnung (CTE)

10-6K-1

4.5

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Merkmale des MOCVD-Suszeptors für epitaxiales Wachstum

- Ablösen vermeiden und Beschichtung auf allen Oberflächen sicherstellen
Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit: Stabil bei hohen Temperaturen bis zu 1600 °C
Hohe Reinheit: Hergestellt durch CVD-CVD unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.
Korrosionsbeständigkeit: hohe Härte, dichte Oberfläche und feine Partikel.
Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.
- Erzielen Sie das beste laminare Gasströmungsmuster
- Gewährleistung der Gleichmäßigkeit des thermischen Profils
- Verhindern Sie jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen




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