SiC-beschichteter MOCVD-Suszeptor

Semicorex ist ein führender Hersteller und Lieferant von SiC-beschichteten MOCVD-Suszeptoren. Unser Produkt wurde speziell für die Halbleiterindustrie entwickelt, um die Epitaxieschicht auf dem Wafer-Chip zu züchten. Der mit hochreinem Siliziumkarbid beschichtete Graphitträger wird als Mittelplatte in MOCVD mit einem zahnrad- oder ringförmigen Design verwendet. Unser Suszeptor wird häufig in MOCVD-Anlagen verwendet und gewährleistet eine hohe Hitze- und Korrosionsbeständigkeit sowie eine große Stabilität in extremen Umgebungen.

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Produktbeschreibung

Eines der wichtigsten Merkmale unseres SiC-beschichteten MOCVD-Suszeptors ist, dass er eine Beschichtung auf allen Oberflächen gewährleistet und ein Ablösen verhindert. Das Produkt hat eine Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit, die bei hohen Temperaturen bis zu 1600 °C stabil ist. Die hohe Reinheit wird durch chemische CVD-Dampfabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen erreicht. Das Produkt hat eine dichte Oberfläche mit feinen Partikeln, wodurch es sehr widerstandsfähig gegen Korrosion durch Säuren, Laugen, Salz und organische Reagenzien ist.
Unser SiC-beschichteter MOCVD-Suszeptor gewährleistet das beste laminare Gasströmungsmuster, das ein gleichmäßiges thermisches Profil garantiert. Dies trägt dazu bei, jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen zu verhindern, wodurch ein qualitativ hochwertiges epitaxiales Wachstum auf dem Waferchip sichergestellt wird. Semicorex bietet einen wettbewerbsfähigen Preisvorteil und deckt viele der europäischen und amerikanischen Märkte ab. Unser Team ist bestrebt, exzellenten Kundenservice und Support zu bieten. Wir sind bestrebt, Ihr langfristiger Partner zu werden und qualitativ hochwertige und zuverlässige Produkte anzubieten, die Ihr Unternehmen beim Wachstum unterstützen.

Parameter des SiC-beschichteten MOCVD-Suszeptors

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickers-Härte	2500
Körnung	Î¼m	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J·kg –1 ·K –1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegefestigkeit	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4pt Biegung, 1300â)	430
Wärmeausdehnung (CTE)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300

Merkmale des SiC-beschichteten MOCVD-Suszeptors

- Ablösen vermeiden und Beschichtung auf allen Oberflächen sicherstellen
Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit: Stabil bei hohen Temperaturen bis zu 1600 °C
Hohe Reinheit: Hergestellt durch CVD-CVD unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.
Korrosionsbeständigkeit: hohe Härte, dichte Oberfläche und feine Partikel.
Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.
- Erzielen Sie das beste laminare Gasströmungsmuster
- Gewährleistung der Gleichmäßigkeit des thermischen Profils
- Verhindern Sie jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen