SiC-beschichteter MOCVD-Suszeptor

Semicorex ist ein führender Hersteller und Lieferant von SiC-beschichteten MOCVD-Suszeptoren. Unser Produkt wurde speziell für die Halbleiterindustrie entwickelt, um die Epitaxieschicht auf dem Wafer-Chip wachsen zu lassen. Der mit hochreinem Siliziumkarbid beschichtete Graphitträger wird beim MOCVD als Mittelplatte in zahnrad- oder ringförmiger Ausführung verwendet. Unser Suszeptor wird häufig in MOCVD-Geräten eingesetzt und gewährleistet eine hohe Hitze- und Korrosionsbeständigkeit sowie große Stabilität in extremen Umgebungen.

Anfrage absenden

Produktbeschreibung

Eines der wichtigsten Merkmale unseres SiC-beschichteten MOCVD-Suszeptors ist, dass er eine Beschichtung auf allen Oberflächen gewährleistet und ein Abblättern verhindert. Das Produkt verfügt über eine Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit, die bei hohen Temperaturen bis zu 1600 °C stabil ist. Die hohe Reinheit wird durch CVD-chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen erreicht. Das Produkt verfügt über eine dichte Oberfläche mit feinen Partikeln und ist daher äußerst beständig gegen Korrosion durch Säuren, Laugen, Salze und organische Reagenzien.
Unser SiC-beschichteter MOCVD-Suszeptor gewährleistet das beste laminare Gasströmungsmuster, das ein gleichmäßiges thermisches Profil gewährleistet. Dies trägt dazu bei, jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen zu verhindern und sorgt für ein qualitativ hochwertiges epitaktisches Wachstum auf dem Wafer-Chip. Semicorex bietet einen wettbewerbsfähigen Preisvorteil und deckt viele europäische und amerikanische Märkte ab. Unser Team ist bestrebt, exzellenten Kundenservice und Support zu bieten. Wir sind bestrebt, Ihr langfristiger Partner zu werden und qualitativ hochwertige und zuverlässige Produkte bereitzustellen, die zum Wachstum Ihres Unternehmens beitragen.

Parameter des SiC-beschichteten MOCVD-Suszeptors

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC-β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickershärte	2500
Körnung	μm	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J kg-1 K-1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegekraft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)	430
Wärmeausdehnung (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300

Merkmale des SiC-beschichteten MOCVD-Suszeptors

- Vermeiden Sie ein Abblättern und stellen Sie sicher, dass die Beschichtung auf der gesamten Oberfläche vorhanden ist
Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen: Stabil bei hohen Temperaturen bis zu 1600 °C
Hohe Reinheit: hergestellt durch CVD-chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.
Korrosionsbeständigkeit: hohe Härte, dichte Oberfläche und feine Partikel.
Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.
- Erzielen Sie das beste laminare Gasströmungsmuster
- Gewährleistung der Gleichmäßigkeit des thermischen Profils
- Verhindern Sie jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen