TaC-Beschichtungsgraphit wird hergestellt, indem die Oberfläche eines hochreinen Graphitsubstrats mit einer feinen Schicht Tantalkarbid durch ein proprietäres CVD-Verfahren (Chemical Vapour Deposition) beschichtet wird.
Tantalcarbid (TaC) ist eine Verbindung, die aus Tantal und Kohlenstoff besteht. Es verfügt über metallische elektrische Leitfähigkeit und einen außergewöhnlich hohen Schmelzpunkt, was es zu einem feuerfesten Keramikmaterial macht, das für seine Festigkeit, Härte sowie Hitze- und Verschleißfestigkeit bekannt ist. Der Schmelzpunkt von Tantalkarbiden erreicht je nach Reinheit seinen Höhepunkt bei etwa 3880 °C und weist einen der höchsten Schmelzpunkte unter den binären Verbindungen auf. Dies macht es zu einer attraktiven Alternative, wenn höhere Temperaturanforderungen die Leistungsfähigkeit von Verbindungshalbleiter-Epitaxieprozessen wie MOCVD und LPE übersteigen.
Materialdaten der Semicorex TaC-Beschichtung
Projekte |
Parameter |
Dichte |
14,3 (gm/cm³) |
Emissionsgrad |
0.3 |
WAK (×10-6/K) |
6.3 |
Härte (HK) |
2000 |
Widerstand (Ohm-cm) |
1×10-5 |
Thermische Stabilität |
<2500℃ |
Änderung der Graphitdimension |
-10~-20um (Referenzwert) |
Beschichtungsdicke |
≥20um typischer Wert (35um±10um) |
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Die oben genannten Werte sind typische Werte |
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Semicorex Tantalcarbid-Ringe sind wichtige Komponenten, die in fortschrittlichen Halbleiterfertigungsprozessen verwendet werden. Bei Semicorex sind wir für ihre außergewöhnliche Härte, ihren hohen Schmelzpunkt und ihre chemische Inertheit bekannt. Wir sind bestrebt, Produkte zu liefern, die den höchsten Qualitäts- und Leistungsstandards entsprechen und sicherstellen, dass unsere Kunden an der Spitze der Innovation in der Halbleiterindustrie bleiben.*
WeiterlesenAnfrage absendenDer TaC Coating Wafer Susceptor von Semicorex ist eine mit Tantalkarbid beschichtete Graphitschale, die beim epitaktischen Wachstum von Siliziumkarbid zur Verbesserung der Waferqualität und -leistung verwendet wird. Wählen Sie Semicorex aufgrund seiner fortschrittlichen Beschichtungstechnologie und langlebigen Lösungen, die hervorragende Ergebnisse bei der SiC-Epitaxie und eine längere Lebensdauer des Suszeptors gewährleisten.*
WeiterlesenAnfrage absendenFührungsringe mit TaC-Beschichtung sind Graphitringe mit einer Tantalkarbidbeschichtung, die für den Einsatz in Siliziumkarbid-Kristallwachstumsöfen zur Verbesserung der Kristallqualität entwickelt wurden. Wählen Sie Semicorex aufgrund seiner fortschrittlichen Beschichtungstechnologie, die eine überragende Haltbarkeit, thermische Stabilität und optimierte Kristallwachstumsleistung gewährleistet.*
WeiterlesenAnfrage absendenDer Tantalcarbid-Führungsring von Semicorex ist ein mit Tantalcarbid beschichteter Graphitring, der in Siliziumkarbid-Kristallwachstumsöfen zur Unterstützung von Impfkristallen, zur Temperaturoptimierung und zur Verbesserung der Wachstumsstabilität verwendet wird. Wählen Sie Semicorex aufgrund seiner fortschrittlichen Materialien und seines Designs, die die Effizienz und Qualität des Kristallwachstums erheblich verbessern.*
WeiterlesenAnfrage absendenDer Semicorex-Tantalkarbidring ist ein mit Tantalkarbid beschichteter Graphitring, der als Führungsring in Siliziumkarbid-Kristallwachstumsöfen verwendet wird, um eine präzise Temperatur- und Gasflusskontrolle zu gewährleisten. Wählen Sie Semicorex aufgrund seiner fortschrittlichen Beschichtungstechnologie und hochwertigen Materialien und liefern Sie langlebige und zuverlässige Komponenten, die die Effizienz des Kristallwachstums und die Produktlebensdauer verbessern.*
WeiterlesenAnfrage absendenDas Wafer-Tablett mit TaC-Beschichtung von Semicorex muss so konstruiert sein, dass es den Herausforderungen standhält die extremen Bedingungen in der Reaktionskammer, einschließlich hoher Temperaturen und chemisch reaktiver Umgebungen.**
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