TaC-Beschichtungsgraphit wird hergestellt, indem die Oberfläche eines hochreinen Graphitsubstrats mit einer feinen Schicht Tantalkarbid durch ein proprietäres CVD-Verfahren (Chemical Vapour Deposition) beschichtet wird.
Tantalcarbid (TaC) ist eine Verbindung, die aus Tantal und Kohlenstoff besteht. Es verfügt über metallische elektrische Leitfähigkeit und einen außergewöhnlich hohen Schmelzpunkt, was es zu einem feuerfesten Keramikmaterial macht, das für seine Festigkeit, Härte sowie Hitze- und Verschleißfestigkeit bekannt ist. Der Schmelzpunkt von Tantalkarbiden erreicht je nach Reinheit seinen Höhepunkt bei etwa 3880 °C und weist einen der höchsten Schmelzpunkte unter den binären Verbindungen auf. Dies macht es zu einer attraktiven Alternative, wenn höhere Temperaturanforderungen die Leistungsfähigkeit von Verbindungshalbleiter-Epitaxieprozessen wie MOCVD und LPE übersteigen.
Materialdaten der Semicorex TaC-Beschichtung
Projekte |
Parameter |
Dichte |
14,3 (gm/cm³) |
Emissionsgrad |
0.3 |
WAK (×10-6/K) |
6.3 |
Härte (HK) |
2000 |
Widerstand (Ohm-cm) |
1×10-5 |
Thermische Stabilität |
<2500℃ |
Änderung der Graphitdimension |
-10~-20um (Referenzwert) |
Beschichtungsdicke |
≥20um typischer Wert (35um±10um) |
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Die oben genannten Werte sind typische Werte |
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Das Wafer-Tablett mit TaC-Beschichtung von Semicorex muss so konstruiert sein, dass es den Herausforderungen standhält die extremen Bedingungen in der Reaktionskammer, einschließlich hoher Temperaturen und chemisch reaktiver Umgebungen.**
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