TaC-Beschichtungssockelträger

Der Semicorex TaC Coating Pedestal Supporter spielt eine Schlüsselrolle bei der mechanischen Unterstützung, aber auch bei der Steuerung des Prozessablaufs. Bei Verwendung im Reaktor befindet es sich unterhalb des Hauptsuszeptors oder Waferträgers. Es arretiert die rotierende Baugruppe in ihrer Position, hält das thermische Gleichgewicht im Sockel aufrecht und sorgt für einen gesunden Gasfluss unter der Waferzone. Der TaC-Beschichtungssockelträger ist für beide Funktionen konzipiert, einschließlich einer konstruktiv hergestellten Graphitbasis, die durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD) mit einer gleichmäßig dichten Schicht aus Tantalkarbid (TaC) beschichtet wird.

Tantalcarbid ist eines der feuerfeststen und chemisch inerten Materialien auf dem Markt, mit einem Schmelzpunkt über 3800 °C und großer Beständigkeit gegen Korrosion und Erosion. Wenn CVD zur Herstellung eingesetzt wirdTaC-BeschichtungenDas Endergebnis ist eine glatte, dichte Beschichtung, die das Graphitsubstrat vor Hochtemperaturoxidation, Ammoniakkorrosion und metallorganischen Vorläuferreaktionen schützt. Auch wenn der Sockelträger über längere Zeit korrosiven Gasen oder extremen Temperaturwechseln im Zusammenhang mit Epitaxieprozessen ausgesetzt ist, bleibt er beständig und behält seine strukturelle und chemische Stabilität bei.

Die CVD-TaC-Beschichtung erfüllt mehrere wichtige Funktionen und fungiert als Schutzbarriere, die verhindert, dass potenzielle Kohlenstoffverunreinigungen aus der Graphitbeschichtung und dem Substrat in die Reaktorumgebung gelangen oder den Wafer beeinträchtigen. Zweitens sorgt es für chemische Inertheit und sorgt für eine saubere und stabile Oberfläche sowohl in oxidierenden als auch reduzierenden Atmosphären. Dies verhindert unerwünschte Reaktionen zwischen den Prozessgasen und der Reaktorhardware und stellt sicher, dass die Gasphasenchemie kontrolliert bleibt und die Gleichmäßigkeit des Films erhalten bleibt.

Die Bedeutung des Sockelträgers bei der Gasflusskontrolle sollte ebenfalls beachtet werden. Ein wichtiger Aspekt im Prozess der epitaktischen Abscheidung besteht darin, die Gleichmäßigkeit der Prozessgase sicherzustellen, die über die gesamte Oberfläche des Wafers strömen, um ein gleichmäßiges Schichtwachstum zu erreichen. Der TaC-Beschichtungssockelträger ist präzise gefertigt, um Gasströmungskanäle und -geometrien zu steuern, was dabei hilft, Prozessgase reibungslos und gleichmäßig in die Reaktionszone zu leiten. Durch die Steuerung der laminaren Strömung werden Turbulenzen minimiert, tote Zonen eliminiert und eine stabilere Gasumgebung geschaffen. All dies trägt zu einer überlegenen Gleichmäßigkeit der Filmdicke und einer besseren Epitaxiequalität bei.

DerTaC-BeschichtungBietet eine hohe Wärmeleitfähigkeit und ein hohes Emissionsvermögen, wodurch der Sockelträger auch Wärme effizient leiten und abstrahlen kann. Dies führt auch zu einer besseren Gesamttemperaturgleichmäßigkeit auf dem Suszeptor und dem Wafer, wobei geringere Temperaturgradienten zu weniger Schwankungen beim Kristallwachstum führen. Darüber hinaus bietet TaC eine außergewöhnliche Oxidationsbeständigkeit, die dafür sorgt, dass der Emissionsgrad auch im Langzeitbetrieb konstant bleibt und eine genaue Temperaturkalibrierung und wiederholbare Prozessleistung gewährleistet wird.

Der TaC Coating Pedestal Supporter verfügt über eine hohe mechanische Haltbarkeit und sorgt so für eine längere Betriebslebensdauer. Der CVD-Beschichtungsprozess erzeugt insbesondere eine feste molekulare Bindung zwischen der TaC-Schicht und dem Graphitsubstrat, um Delaminierung, Rissbildung oder Ablösung durch thermische Belastung zu verhindern. Daher handelt es sich um eine Komponente, die Hunderte von Hochtemperaturzyklen ohne Leistungseinbußen übersteht.