TaC-beschichtete Planetenplatte

Die mit TaC beschichtete Planetenplatte von Semicorex dient als Schlüsselkomponente in MOCVD-Reaktoren und weist ein Planetendesign auf, das durch zahlreiche entlang ihrer Oberfläche angeordnete Wafertaschen gekennzeichnet ist. Diese Taschen wurden speziell dafür geschaffen, die Wafer während der Wachstumsphase einer Epitaxieschicht zuverlässig aufzunehmen, Substratwafer zu stabilisieren und Substratbewegungen bei erhöhten Prozesstemperaturen zu minimieren. Die exakte Taschengeometrie sorgt für eine konsistente Waferplatzierung, die für eine gleichmäßige Dicke der Epitaxieschichten und einen gleichmäßigen Grad an Substratdefekten für alle im selben Prozess gezüchteten Wafer wichtig ist.

Ein wichtiger Designaspekt der Planetenplatte ist wiederum die gezielte Verteilung feiner Gasströmungslöcher entlang der Oberfläche der Platte. Diese Löcher sind sorgfältig entworfen und strategisch positioniert, um den Fluss der Vorläufergase im Reaktor zu dosieren, sodass eine gleichmäßige Gasverteilung und gleichmäßige Abscheidung auf jedem Wafer erreicht wird. In jedem MOCVD-Prozess sind Aspekte der Gasdynamik entscheidend für die Bestimmung der Filmqualität, der Gleichmäßigkeit der Dicke und der Gesamtleistung des Geräts. Das optimierte Lochdesign auf derTaC-beschichtetDie mit TaC beschichtete Planetenplatte von Semicorex dient als Schlüsselkomponente in MOCVD-Reaktoren und weist ein Planetendesign auf, das durch zahlreiche entlang ihrer Oberfläche angeordnete Wafertaschen gekennzeichnet ist. Diese Taschen wurden speziell dafür geschaffen, die Wafer während der Wachstumsphase einer Epitaxieschicht zuverlässig aufzunehmen, Substratwafer zu stabilisieren und Substratbewegungen bei erhöhten Prozesstemperaturen zu minimieren. Die exakte Taschengeometrie sorgt für eine konsistente Waferplatzierung, die für eine gleichmäßige Dicke der Epitaxieschichten und einen gleichmäßigen Grad an Substratdefekten für alle im selben Prozess gezüchteten Wafer wichtig ist.

DerTaC-Beschichtung (Tantalkarbid).verlängert die Leistung und Lebensdauer der Planetenplatte zusätzlich. Tantalcarbid ist extrem hart, chemisch inert und wärmeleitend, was es zu einer hervorragenden Beschichtung für extreme MOCVD-Umgebungen macht. Während der Epitaxie werden die Komponenten im Reaktor hohen Temperaturen, reaktiven Vorläufergasen und Plasma ausgesetzt. Die TaC-Beschichtung dient als robuste Barriere gegen Korrosion, Oxidation und Partikelbildung und führt zu einer deutlichen Verlängerung der Lebensdauer der Planetenplatte im Vergleich zu einer unbeschichteten oder konventionell beschichteten Platte.

Die Langlebigkeit und Haltbarkeit der TaC-beschichteten Planetenplatte machen sie zu einer kostengünstigen Wahl für MOCVD-Systeme. Die langlebige TaC-Schicht hält wiederholten Temperaturwechseln und der Einwirkung extremer Prozessgase stand und behält gleichzeitig die strukturelle Integrität und Stabilität der Leistung bei, auch wenn sie über längere Zeiträume betrieben wird.