TAC-Beschichtung Halbmondteil

TAC-Keramik hat einen Schmelzpunkt von bis zu 3880 ° C, hohe Härte (MOHS-Härte 9-10), große thermische Leitfähigkeit (22W · M-1 · k-1), große Biegefestigkeit (340-400 mPa) und kleiner thermischer Expansionskoeffizienten (6,6 × 10-6K-1). Sie weisen auch eine ausgezeichnete thermochemische Stabilität und hervorragende physikalische Eigenschaften auf und weisen eine gute chemische und mechanische Kompatibilität mit Graphit- und C/C -Verbundwerkstoffen auf. Daher werden TAC -Beschichtungen häufig im Thermieschutz, des Einkristallwachstums, im Energieelektronik und im medizinischen Geräte eingesetzt.

TAC-beschichtete Graphit hat eine bessere chemische Korrosionsbeständigkeit als nackte Graphit oder SIC-beschichtete Graphit, kann bei hohen Temperaturen von 2600 ° stabil verwendet werden und reagiert nicht mit vielen Metallelementen. Es ist die beste Beschichtung in den Halbleiter-Einzelkristallwachstums- und Wafer-Ätz-Szenarien der dritten Generation und kann die Kontrolle von Temperaturen und Verunreinigungen im Prozess erheblich verbessern und qualitativ hochwertige Siliziumcarbidwaffeln und verwandte epitaxiale Wafer vorbereiten. Es eignet sich besonders zum Anbau von GaN- oder ALN -Einzelkristallen mit MOCVD -Geräten und dem Anbau von sic -Einzelkristallen mit PVT -Geräten. Die Qualität der erwachsenen Einkristalle ist erheblich verbessert.

Dieses Produkt ist eine ideale Lösung für Hersteller, die Präzision, Effizienz und Haltbarkeit in ihren Epitaxienprozessen priorisieren. Trust Semicorex für Hochleistungslösungen, die den sich entwickelnden Bedürfnissen der Halbleiterindustrie erfüllen sollen.