SiC-Wafer-Tablett

Das Semicorex SiC Wafer Tray fungiert als Schlüsselelement in MOCVD-Geräten und hält Einkristallsubstrate und verwaltet diese thermisch. Seine außergewöhnlichen Leistungsmerkmale, einschließlich überlegener thermischer Stabilität und Gleichmäßigkeit sowie Korrosionshemmung usw., sind entscheidend für das qualitativ hochwertige Wachstum epitaktischer Materialien. Diese Eigenschaften gewährleisten eine gleichbleibende Gleichmäßigkeit und Reinheit in dünnen Filmschichten.

Das mit einer SiC-Beschichtung versehene SiC-Wafer-Tray verbessert die Wärmeleitfähigkeit erheblich und ermöglicht eine schnelle und gleichmäßige Wärmeverteilung, die für ein gleichmäßiges epitaktisches Wachstum unerlässlich ist. Die Fähigkeit des SiC-Wafer-Trays, Wärme effizient zu absorbieren und abzustrahlen, sorgt für eine stabile und konstante Temperatur, die für die präzise Abscheidung dünner Filme unerlässlich ist. Diese gleichmäßige Temperaturverteilung ist entscheidend für die Herstellung hochwertiger Epitaxieschichten, die für die Leistung fortschrittlicher Halbleiterbauelemente unerlässlich sind.

Die zuverlässige Leistung und Langlebigkeit des SiC-Wafer-Trays reduzieren die Häufigkeit des Austauschs und minimieren so Ausfallzeiten und Wartungskosten. Seine robuste Bauweise und überlegenen Betriebsfähigkeiten steigern die Prozesseffizienz und steigern dadurch die Produktivität und Kosteneffizienz in der Halbleiterfertigung.

Darüber hinaus weist das Semicorex SiC Wafer Tray eine hervorragende Oxidations- und Korrosionsbeständigkeit bei hohen Temperaturen auf, was seine Haltbarkeit und Zuverlässigkeit zusätzlich gewährleistet. Seine hohe thermische Beständigkeit, gekennzeichnet durch einen signifikanten Schmelzpunkt, ermöglicht es ihm, den strengen thermischen Bedingungen standzuhalten, die bei Halbleiterfertigungsprozessen auftreten.