SiC-Epi-Wafer-Rezeptor

Semicorex liefert mit MOCVD beschichtete SiC-Epi-Wafer-Suszeptoren zur Unterstützung von Wafern. Ihre mit hochreinem Siliziumkarbid (SiC) beschichtete Graphitkonstruktion bietet eine hervorragende Hitzebeständigkeit, eine gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit für eine gleichmäßige Dicke und Beständigkeit der Epi-Schicht sowie eine dauerhafte chemische Beständigkeit. Die feine SiC-Kristallbeschichtung sorgt für eine saubere, glatte Oberfläche, was für die Handhabung von entscheidender Bedeutung ist, da makellose Wafer den Suszeptor an vielen Stellen über ihre gesamte Fläche berühren.
Unser SiC-Epi-Wafer-Suszeptor ist darauf ausgelegt, das beste laminare Gasströmungsmuster zu erzielen und ein gleichmäßiges thermisches Profil sicherzustellen. Dies trägt dazu bei, jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen zu verhindern und sorgt für ein qualitativ hochwertiges epitaktisches Wachstum auf dem Wafer-Chip.
Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unseren SiC-Epi-Wafer-Suszeptor zu erfahren.

Parameter des SiC-Epi-Wafer-Suszeptors

Merkmale des SiC-Epi-Wafer-Suszeptors

Hochreiner SiC-beschichteter Graphit
Überlegene Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit
Feine SiC-Kristallbeschichtung für eine glatte Oberfläche
Hohe Beständigkeit gegen chemische Reinigung
Das Material ist so konzipiert, dass es nicht zu Rissen und Delaminationen kommt.