Träger für epitaktische GaN-auf-SiC-Wafer

Semicorex ist ein führender unabhängiger Hersteller von mit Siliziumkarbid beschichtetem Graphit und präzisionsgefertigtem hochreinem Graphit mit Schwerpunkt auf den Bereichen Siliziumkarbid-beschichteter Graphit, Siliziumkarbid-Keramik und MOCVP der Halbleiterfertigung. Unser GaN-auf-SiC-Epitaxie-Wafer-Träger hat einen guten Preisvorteil und deckt viele europäische und amerikanische Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

Semicorex SiC-Beschichtung von GaN-auf-SiC-Epitaxiewafern Träger ist eine dichte, verschleißfeste Siliziumkarbid (SiC)-Beschichtung. Es verfügt über hohe Korrosions- und Hitzebeständigkeitseigenschaften sowie eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit. Wir tragen SiC im chemischen Gasphasenabscheidungsverfahren (CVD) in dünnen Schichten auf den Graphit auf.
Unser GaN-auf-SiC-Epitaxie-Wafer-Träger ist darauf ausgelegt, das beste laminare Gasströmungsmuster zu erzielen und ein gleichmäßiges thermisches Profil sicherzustellen. Dies trägt dazu bei, jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen zu verhindern und sorgt für ein qualitativ hochwertiges epitaktisches Wachstum auf dem Wafer-Chip.
Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unseren GaN-auf-SiC-Epitaxie-Wafer-Träger zu erfahren.

Parameter des GaN-auf-SiC-Epitaxie-Wafer-Trägers

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC-β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickershärte	2500
Körnung	μm	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J kg-1 K-1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegekraft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)	430
Wärmeausdehnung (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300

Merkmale des GaN-auf-SiC-Epitaxie-Wafer-Trägers

- Vermeiden Sie ein Abblättern und stellen Sie sicher, dass die Beschichtung auf der gesamten Oberfläche vorhanden ist
Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen: Stabil bei hohen Temperaturen bis 1600 °C
Hohe Reinheit: hergestellt durch CVD-chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.
Korrosionsbeständigkeit: hohe Härte, dichte Oberfläche und feine Partikel.
Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.
- Erzielen Sie das beste laminare Gasströmungsmuster
- Gewährleistung der Gleichmäßigkeit des thermischen Profils
- Verhindern Sie jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen