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Träger für GaN-auf-SiC-Epitaxialwafer
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Träger für GaN-auf-SiC-Epitaxialwafer

Semicorex ist ein führender unabhängiger Hersteller von mit Siliziumkarbid beschichtetem Graphit, präzisionsgefertigtem hochreinem Graphit, der sich auf die Bereiche Siliziumkarbid-beschichteter Graphit, Siliziumkarbid-Keramik und MOCVP in der Halbleiterfertigung konzentriert. Unsere GaN-on-SiC-Epitaxialwaferträger haben einen guten Preisvorteil und decken viele der europäischen und amerikanischen Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

Semicorex-SiC-Beschichtung von GaN-auf-SiC-Epitaxialwafern Der Träger ist eine dichte, verschleißfeste Siliziumkarbid (SiC)-Beschichtung. Es hat hohe Korrosions- und Hitzebeständigkeitseigenschaften sowie eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit. SiC tragen wir im CVD-Verfahren (Chemical Vapor Deposition) in dünnen Schichten auf den Graphit auf.
Unser GaN-auf-SiC-Epitaxialwaferträger wurde entwickelt, um das beste laminare Gasströmungsmuster zu erzielen und ein gleichmäßiges thermisches Profil zu gewährleisten. Dies trägt dazu bei, jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen zu verhindern, wodurch ein qualitativ hochwertiges epitaxiales Wachstum auf dem Waferchip sichergestellt wird.
Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unseren GaN-on-SiC-Epitaxialwaferträger zu erfahren.


Parameter des GaN-auf-SiC-Epitaxialwaferträgers

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur

FCC β-Phase

Dichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickers-Härte

2500

Körnung

μm

2~10

Chemische Reinheit

%

99.99995

Wärmekapazität

J·kg –1 ·K –1

640

Sublimationstemperatur

2700

Biegefestigkeit

MPa (RT 4-Punkt)

415

Elastizitätsmodul

Gpa (4pt Biegung, 1300â)

430

Wärmeausdehnung (CTE)

10-6K-1

4.5

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Merkmale des GaN-auf-SiC-Epitaxialwaferträgers

- Ablösen vermeiden und Beschichtung auf allen Oberflächen sicherstellen
Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit: Stabil bei hohen Temperaturen bis zu 1600 °C
Hohe Reinheit: Hergestellt durch CVD-CVD unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.
Korrosionsbeständigkeit: hohe Härte, dichte Oberfläche und feine Partikel.
Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.
- Erzielen Sie das beste laminare Gasströmungsmuster
- Gewährleistung der Gleichmäßigkeit des thermischen Profils
- Verhindern Sie jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen




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